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公开(公告)号：CN110277132B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910193672.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法和一种存储装置。所述方法包括：通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从存储器单元中读数据；从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息，并且通过利用单元计数信息和成本函数更新所述测试读电压以找到最佳读电压，所述成本函数是针对每个读电压电平确定的；以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定读电压。
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公开(公告)号：CN113742741A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110576252.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种人工智能计算半导体器件。该人工智能计算半导体器件包括：控制单元；以及MAC(乘法累加器)计算器，通过控制单元执行同态加密计算，其中MAC计算器包括：通过数据的变换或逆变换执行同态乘法计算的NTT(数值理论变换)/INTT(逆NTT)电路；执行密码文本之间乘法计算的密码文本乘法器；执行密码文本之间加法和/或减法计算的密码文本加法器/减法器；以及执行密码文本时隙的循环移位的旋转器。
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公开(公告)号：CN112748876A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011179725.3
申请日：2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置、存储控制器和操作神经处理器的方法。所述存储装置包括：接口电路，被配置为从主机接收应用信息；现场可编程门阵列(FPGA)；神经处理器(NPU)；和中央处理器(CPU)，被配置为：使用应用信息从存储在存储器中的多个硬件镜像之中选择硬件镜像，并且使用选择的硬件镜像来重新配置FPGA。NPU被配置为使用重新配置的FPGA执行操作。
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公开(公告)号：CN105825896B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201610045380.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。一种操作存储器系统的方法包括：从主机接收与作为第一编程单位的一部分的第二编程单位对应的信息数据和对于所述信息数据的写入请求；通过对接收的信息数据执行纠错码(ECC)编码来生成码字，使得码字的所有奇偶校验比特之中的与所述信息数据对应的部分奇偶校验比特被更新；向存储器装置提供生成的码字和关于码字的写入命令。
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公开(公告)号：CN110277132A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910193672.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法和一种存储装置。所述方法包括：通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从存储器单元中读数据；从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息，并且通过利用单元计数信息和成本函数更新所述测试读电压以找到最佳读电压，所述成本函数是针对每个读电压电平确定的；以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定读电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109509490A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN105825896A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610045380.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。一种操作存储器系统的方法包括：从主机接收与作为第一编程单位的一部分的第二编程单位对应的信息数据和对于所述信息数据的写入请求；通过对接收的信息数据执行纠错码(ECC)编码来生成码字，使得码字的所有奇偶校验比特之中的与所述信息数据对应的部分奇偶校验比特被更新；向存储器装置提供生成的码字和关于码字的写入命令。
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公开(公告)号：CN105702286A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510931245.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G06F11/1048 , G06F12/00 , G06F12/0238 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G11C8/06 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C2013/0088 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H03M13/05 , H03M13/27 , G11C13/0002 , G11C13/0026 , G11C13/0028
Abstract: 一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收对应于第一地址的第一数据和写请求，将第一地址变换成第二地址，并且将n(n是等于或大于2的整数)个从第一数据产生的子区域数据分配到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入到至少两个层。
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公开(公告)号：CN103578550A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310328869.4
申请日：2013-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F7/58 , G06F7/588 , H04L9/08 , H04L9/0869 , H04L2209/12
Abstract: 在非易失性存储单元的存储器中，通过以下步骤产生随机数：对非易失性存储单元编程；利用随机数读取电压读取编程的非易失性存储单元以产生随机读取数据，所述随机数读取电压依照非易失性存储单元的特性选择；并从随机读取数据产生随机数。
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公开(公告)号：CN102194831A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110062902.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/467 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管基板。提供了一种能够提高显示器件的显示品质的氧化物薄膜晶体管(TFT)基板以及经由简单的工艺制造该氧化物TFT基板的方法。该氧化物TFT基板包括基板、栅极线、数据线、氧化物TFT以及像素电极。氧化物TFT的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域的一部分电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。
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