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公开(公告)号：CN112734019A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011108435.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种神经形态封装设备，包括脉动阵列封装和控制器。脉动阵列封装包括沿第一方向和第二方向布置成脉动阵列的神经形态芯片。控制器与控制神经形态芯片的主机通信。神经形态芯片中的每一个在第一方向上顺序地传送神经网络系统的多个层的权重以存储权重。第一神经形态芯片基于其中存储的权重和在第二方向上接收的输入数据来执行计算，并将计算结果提供给与第一神经形态芯片相邻的第二神经形态芯片和第三神经形态芯片中的至少一个。第二神经形态芯片和第三神经形态芯片中的至少一个基于所提供的计算结果和其中存储的权重来执行计算。
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公开(公告)号：CN103578550B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201310328869.4
申请日：2013-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F7/58 , G06F7/588 , H04L9/08 , H04L9/0869 , H04L2209/12
Abstract: 在非易失性存储单元的存储器中，通过以下步骤产生随机数：对非易失性存储单元编程；利用随机数读取电压读取编程的非易失性存储单元以产生随机读取数据，所述随机数读取电压依照非易失性存储单元的特性选择；并从随机读取数据产生随机数。
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公开(公告)号：CN109036488B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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公开(公告)号：CN109509490B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
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公开(公告)号：CN108735253B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710260714.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113972978A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110633384.0
申请日：2021-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了使用同态加密的电子设备及其加密数据处理方法。一种电子设备包括：存储器，存储来自外部源的数据；应用处理单元APU，发送秘密密钥生成命令和公共密钥生成命令；隔离执行环境IEE，响应于秘密密钥生成命令生成秘密密钥，响应于公共密钥生成命令基于秘密密钥生成公共密钥，存储秘密密钥；非易失性存储器，依据APU的请求执行写入操作和读取操作。当数据存储在存储器中时，APU向IEE发送公共密钥请求，IEE响应于公共密钥请求通过邮箱协议向APU传送公共密钥。APU通过基于公共密钥中的加密密钥对数据执行同态加密生成密文，APU对公共密钥和密文进行分类并将其存储在非易失性存储器中。
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公开(公告)号：CN107797935A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06N20/00 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN107025945A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710022359.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/26 , G06F3/061 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0409 , H05K999/99 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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公开(公告)号：CN102694554B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201110453646.1
申请日：2011-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M7/30
CPC classification number: H03M7/30 , H03M7/6088
Abstract: 一种操作数据压缩设备的方法包括：在数据由输入缓冲器缓冲时使用分析器分析数据并产生分析的结果，并且根据分析的结果选择性地压缩被缓冲的数据。一种数据压缩设备包括：数据模式分析器，被配置成分析传送到输入缓冲器的数据，并基于数据的分析产生分析码；和，数据压缩管理器，被配置成基于分析码选择性地压缩输入缓冲器中的数据。
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