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公开(公告)号：CN101105923A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136271.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K5/13 , G09G3/3607 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2320/041 , H02M3/07
Abstract: 本发明提供了一种可以提高在低温下的显示品质的栅极导通电压发生器、驱动装置和具有所述栅极导通电压发生器和驱动装置的显示设备，其中，所述栅极导通电压发生器包括：温度传感器，具有运算放大器并被构造为接收驱动电压并产生基于温度可变的电压，所述基于温度可变的电压的电平随着环境温度的改变而变化；和电荷泵单元，将所述基于温度可变的电压变化脉冲信号的电压电平，并产生栅极导通电压。
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公开(公告)号：CN101026145A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610149499.8
申请日：2006-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/5227 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05001 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01Q9/27 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装，该半导体封装包括封装板和顺序堆叠在封装板上的多个半导体芯片。各半导体芯片均包括半导体基底和形成在该半导体基底上的开环形芯片线。开环形芯片线具有第一端部和第二端部。开环形芯片线的第一端部和第二端部通过连接件互相电连接，所述连接件和所述开环形芯片线构成螺旋形天线。
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公开(公告)号：CN119833510A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410924382.0
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：衬底，具有多个有源区；位线，在衬底上在平行于衬底的上表面的水平方向上延伸；直接接触，电连接到所述多个有源区的第一有源区并且电连接到位线；接触插塞，电连接到所述多个有源区的与第一有源区相邻的第二有源区；以及外绝缘间隔物，在位线和接触插塞之间并且在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与位线重叠。外绝缘间隔物包括掺有金属元素的掺杂区。
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公开(公告)号：CN113949879A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110802432.4
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/184
Abstract: 提供了一种图像压缩相机模块、一种图像处理系统和一种压缩形成图像数据的多个像素组中的每一个的方法。所述方法包括：检测像素组中的多个像素中的坏像素；产生指示关于所述坏像素的位置信息的标示；计算所述多个像素中的除所述坏像素之外的像素的像素值与参考像素值之间的第一差；以及产生包括所述标示和所述第一差的比特流。
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公开(公告)号：CN113949878A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110794817.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/186
Abstract: 提供了一种用于压缩由图像传感器生成的图像数据的图像压缩方法，该图像压缩方法包括：检测图像数据中包括的像素组中包括的多个像素中的饱和像素，饱和像素具有超过阈值的像素值，并且多个像素彼此相邻并且彼此具有相同的颜色；生成指示饱和像素的位置的饱和标志；通过将参考像素与像素组中包括的多个像素中的至少一个非饱和像素进行比较来压缩图像数据；以及输出包括饱和标志、压缩结果和压缩方法的比特流。
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公开(公告)号：CN113921507A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110289212.6
申请日：2021-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔允硕
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H05K1/18
Abstract: 公开了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括：上基底，具有彼此背对的第一表面和第二表面；半导体芯片，位于上基底的第一表面上；缓冲层，位于上基底的第二表面上；模制层，位于上基底的第二表面与缓冲层之间；多个贯穿电极，穿透上基底和模制层；互连层，位于上基底的第一表面与半导体芯片之间，并且被构造为将半导体芯片电连接到多个贯穿电极；以及多个凸块，设置在缓冲层上，与模制层间隔开，并且电连接到多个贯穿电极。模制层包括热膨胀系数大于上基底的热膨胀系数的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN113573071A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110448054.4
申请日：2021-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/186 , H04N19/117 , H04N5/374
Abstract: 提供了图像压缩方法、编码器和包括编码器的相机模块。所述图像压缩方法包括：将与彼此邻近布置并生成第一颜色信息的多个子像素对应的图像数据分类为第一颜色像素；基于所述多个子像素的像素值，确定作为用于压缩图像数据的标准的参考值；将所述多个子像素的像素值与参考值进行比较；和输出比较结果和参考值。
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公开(公告)号：CN113410235A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110288110.2
申请日：2021-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。
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公开(公告)号：CN112243090A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010668078.6
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器和图像处理系统。所述图像传感器包括：感测单元，被配置为：生成针对同一对象具有不同亮度的多个图像；预处理器，被配置为：将除了所述多个图像中的至少一个图像之外的n个图像(n是等于或大于2的自然数)合并以生成合并图像；以及接口电路，被配置为：将所述至少一个图像和合并图像输出到外部处理器。
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