公开(公告)号：CN101937892B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

公开(公告)号：CN102354519A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110219876.1

申请日：2011-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜郁成 ,  张东铉 ,  张星珍 ,  李勋 ,  金镇护 ,  金南锡 ,  文炳植 ,  李于东

IPC: G11C5/00 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/481 ,  G11C5/06 ,  G11C8/18 ,  H01L22/32 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17515 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种三维(3D)半导体器件包括芯片的层叠，该芯片包括一个主芯片与一个或多个从芯片。从芯片的I/O连接部不需连接到母板上的通路，仅主芯片的电极焊盘可连接到所述通路。仅该主芯片可提供负载到所述通路。硅贯通孔(TSV)界面可配置在半导体器件的数据输入路径、数据输出路径、地址/命令路径、以及时钟路径上，其中在该半导体器件中相同类型的半导体芯片相层叠。

公开(公告)号：CN102074497A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010525017.0

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  李仁荣 ,  李镐珍 ,  张东铉

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。

公开(公告)号：CN101937892A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010108463.1

申请日：2010-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  张东铉 ,  李仁荣 ,  尹玟升 ,  黄善宽

IPC: H01L23/482 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  G11C7/10

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡，其中，所述半导体芯片包括第一表面和面对第一表面的第二表面。至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。提供了填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

公开(公告)号：CN1996565B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710001527.6

申请日：2007-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  李镐珍 ,  张东铉 ,  李东镐

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/274 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087

Abstract: 本发明提供了一种具有应力消除分隔件的半导体器件封装和一种制造该半导体器件封装的方法，在该半导体器件封装中，从芯片的本体延伸的金属互连指状物提供芯片互连。金属指状物通过应力消除分隔件与芯片的本体隔离。在一个示例中，这种隔离采取空气间隙的形式。在另一示例中，这种隔离采取弹性体材料的形式。在任一种情况下，避免了金属互连指状物和芯片的本体之间的热膨胀系数的不匹配，从而减轻了与裂纹和剥离相关的问题，并使得器件产量和器件可靠性提高。

公开(公告)号：CN1246731A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99100256.3

申请日：1999-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南锡 ,  张东铉 ,  姜思尹 ,  权兴奎

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 根据本发明,芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外,为改善CSP的可靠性,提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力,并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后,锯切半导体晶片,得到单个CSP。