-
公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
-
公开(公告)号：CN1964050A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
-
公开(公告)号：CN1790726A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
-
公开(公告)号：CN1734773A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510092281.9
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5621 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。
-
公开(公告)号：CN1627503A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410098358.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L29/66833
Abstract: 提供了一种存储器件及其制造方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅层叠结构，并通过蚀刻所述栅层叠结构的端部，部分地暴露所述半导体衬底的上端部分；将掺杂剂注入到所述半导体衬底的所述暴露部分中以形成源区和漏区，其中蚀刻所述栅层叠结构使得其宽度从顶部至底部增加。因此，可采用简化的制造工艺来制造高集成度的存储器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574363A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046544.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。
-
公开(公告)号：CN102738237B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
-
公开(公告)号：CN102479804B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110389294.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
-
公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
-
公开(公告)号：CN102060292B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010541911.7
申请日：2010-11-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041
Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
73
records
(took 0.032 seconds)
