公开(公告)号：CN101071552B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200710126632.2

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张东烈 ,  李受哲

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: H03F3/4521 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  H03F3/3001 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/30021 ,  H03F2203/30081 ,  H03F2203/30114 ,  H03F2203/45366 ,  H03F2203/45684

Abstract: 一种具有改善的输出偏差的输出缓冲器以及采用所述输出缓冲器的平板显示器的源极驱动器，其中所述输出缓冲器包括被施加第一差动输入信号的第一输入端；被施加第二差动输入信号的第二输入端；基于第二差动输入信号产生输出信号和将输出信号反馈回第一输入端作为第一输入信号的输出端；被施加第一电源电压的第一电源端；被施加第二电源电压的第二电源端；以及放大第一差动输入信号和第二差动输入信号之间的差、将输出信号上拉到第一电源电压或将输出信号下拉到第二电源电压并包括多个晶体管的放大单元。

公开(公告)号：CN1971903B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610148663.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄皓益 ,  李受哲

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/485 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  Y10S438/975 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种具有对准标记层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以在组装操作中减少对准误差。该半导体器件包括形成在半导体衬底上的焊盘电极层和对准标记层。钝化层形成在所述半导体衬底上并暴露所述焊盘电极层顶部的至少一部分和对准标记层顶部的至少一部分。光透射保护层覆盖所述钝化层的至少一部分，暴露从所述钝化层暴露出的所述焊盘电极层顶部，并覆盖从所述钝化层暴露出的所述对准标记层的部分。

公开(公告)号：CN101013701A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610064394.2

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴根淑 ,  李相培 ,  李受哲 ,  黄晧益 ,  李泰政

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11558 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明在一方面提供一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该EEPROM包括：半导体衬底，包括间隔开的第一、第二和第三有源区；公共浮置栅极，横跨该第一至第三有源区；源/漏区，形成在该浮置栅极相对两侧在该第三有源区中；第一互连，连接到该第一有源区；第二互连，连接到该第二有源区；以及第三互连，连接到该源/漏区的任一个。

公开(公告)号：CN1722459A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN1489213A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03159731.9

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受哲 ,  张东烈

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/00 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/38 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种反并联连接的成对的电容器形成的集成电路金属－绝缘体－金属电容器。该金属－绝缘体－金属集成电路电容器包括集成电路衬底上反并联电连接的成对的金属－绝缘体－金属电容器。反并联电连接的成对的金属－绝缘体－金属电容器具有比该些金属－绝缘体－金属电容器中的任一个都小的电容量作为电压函数的变化。