公开(公告)号：CN115208410A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210357787.1

申请日：2022-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛昶圭 ,  禹柄硕 ,  李受哲

IPC: H03M7/16 ,  G06F13/38

Abstract: 提供了一种半导体装置及其信号处理方法。半导体装置的信号处理方法包括：接收第一数字信号的第一数字码；生成约束向量；基于所述约束向量利用发送掩码对所述第一数字码进行掩码操作；以及输出被掩码后的所述第一数字码和所述发送掩码的数据总线反转(DBI)位。

公开(公告)号：CN115086120A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210240107.8

申请日：2022-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛昶圭 ,  金志烨 ,  邵惠晶 ,  郭明保 ,  尹弼相 ,  李受哲 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: H04L25/49 ,  H04L1/18

Abstract: 提供了编码和解码设备和用于实施多模编码的方法。设备包括连接至数据总线的发送器和接收器。当数据突发由发送器被转换为各自包括多个符号的码字和/或由接收器接收的码字被恢复为数据突发时，使用其中在多个符号之间不发生最大过渡(MT)事件的最大过渡避免(MTA)码字映射和与多个符号的最小功耗相关的最小DC电流(MDC)码字映射。

公开(公告)号：CN114726387A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111417259.2

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹柄硕 ,  李受哲 ,  薛昶圭

IPC: H04B1/16 ,  H04B1/12 ,  G06F3/06

Abstract: 一种接收多电平信号的接收器，包括补偿电路、采样电路、输出电路和模式选择器。补偿电路通过补偿输入数据信号上的符号间干扰来产生多个数据信号和多个参考电压。采样电路基于多个数据信号和多个参考电压产生多个采样信号。输出电路基于多个采样信号产生输出数据，并基于输出数据的先前值选择输出数据的当前值。模式选择器基于操作环境产生用于选择第一操作模式和第二操作模式之一的模式选择信号。补偿电路和采样电路在第一操作模式下被完全启用，且补偿电路和采样电路在第二操作模式下被部分启用。

公开(公告)号：CN100431151C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03159731.9

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受哲 ,  张东烈

IPC: H01L27/01 ,  H01L27/00 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/38 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种反并联连接的成对的电容器形成的集成电路金属-绝缘体-金属电容器。该金属-绝缘体-金属集成电路电容器包括集成电路衬底上反并联电连接的成对的金属-绝缘体-金属电容器。反并联电连接的成对的金属-绝缘体-金属电容器具有比该些金属-绝缘体-金属电容器中的任一个都小的电容量作为电压函数的变化。

公开(公告)号：CN114792531A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210089173.X

申请日：2022-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹柄硕 ,  薛昶圭 ,  朴喆民 ,  李受哲 ,  朴赞益

IPC: G11C5/04

Abstract: 一种高带宽存储系统包括：主板以及耦接到所述主板的半导体封装件。所述半导体封装件包括：封装基板，所述封装基板安装在所述主板上并且包括提供通道的信号线；第一半导体装置，所述第一半导体装置安装在所述封装基板上并且包括第一物理层(PHY)电路；以及第二半导体装置，所述第二半导体装置安装在所述封装基板上并且包括第二PHY电路。所述第一半导体装置和所述第二半导体装置通过所述通道彼此交换数据信号，所述数据信号是具有M个电平的多电平信号，其中，M是大于2的自然数，并且第一PHY电路通过执行数字信号处理来补偿所述通道的失真并补偿所述通道之间的失配。

公开(公告)号：CN114564146A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111297023.X

申请日：2021-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受哲 ,  薛昶圭 ,  禹柄硕

IPC: G06F3/06 ,  G06F9/50

Abstract: 存储器件中包括的接收器包括标志生成器电路、均衡器电路和均衡控制器电路。标志生成器电路被配置为在正常操作模式期间在没有外部命令的情况下产生标志信号。均衡器电路被配置为在正常操作模式期间通过信道接收输入数据信号、通过基于均衡系数对输入数据信号进行均衡来产生均衡的信号、以及基于均衡的信号产生包括多个数据位的数据采样信号。均衡控制器电路被配置为在正常操作模式期间，基于标志信号、均衡的信号和数据采样信号确定均衡系数的变化量，并执行训练操作，在训练操作中，基于均衡系数的变化量来实时更新均衡系数。

公开(公告)号：CN114203218A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111020816.7

申请日：2021-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受哲 ,  朴宰佑 ,  孙永训 ,  崔荣暾 ,  崔桢焕

IPC: G11C7/22

Abstract: 一种存储器设备，包括存储器单元阵列和数据输入和输出电路，该数据输入和输出电路被配置为输出包括从存储器单元阵列读取的数据的数据信号(DQ信号)和包括基于n电平脉冲幅度调制的、与存储器设备的操作条件相关联的翻转图案的数据选通信号(DQS信号)，其中n是大于或等于4的整数。

公开(公告)号：CN1722459B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200510084649.7

申请日：2005-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永薰 ,  李受哲 ,  金起弘 ,  安正 ,  李容济 ,  裵贞勋 ,  黄圣仁 ,  安有真 ,  金范锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及一种具有改进的灵敏度的CMOS图像传感器，其包括在半导体衬底上形成的有源像素阵列区的主像素阵列区。钝化层形成于传感器的上方，且它至少部分地从主像素阵列区去除，使得用主像素阵列探测的入射光不通过钝化层。由钝化层的材料导致的光吸收和折射得到消除，获得具有改善的光灵敏度的图像传感器。

公开(公告)号：CN1892799A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610101697.7

申请日：2006-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙京睦 ,  李受哲

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: H03K17/165 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0291

Abstract: 提供了一种用于控制液晶显示器(LCD)的转换速率的源驱动器和用于控制该转换速率的方法。该源驱动器包括多个输出缓冲器，用于驱动数据线；和偏置电路，用于改变输入到所述输出缓冲器的偏压，以控制所述输出缓冲器的转换速率。

公开(公告)号：CN1218298A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98108029.4

申请日：1998-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤植 ,  申宪宗 ,  李受哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836 ,  Y10S257/90

Abstract: 一种可抑制伴随元件的微小化而产生的短沟道效应的高速/高性能金属氧化物晶体管及其制造方法,该金属氧化物晶体管包括半导体衬底、栅绝缘膜、栅电极、氧化膜、第一隔离区、第二隔离区、第一掺杂层、第二掺杂层、第三掺杂层、以及第四掺杂层。