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公开(公告)号：CN105280594A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510042066.1
申请日：2015-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/187 , H01L21/28512 , H01L23/485 , H01L29/1037 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/7781 , H01L29/7839 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯-金属接合结构、制造石墨烯-金属接合结构的方法和包括该石墨烯-金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯-金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。
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公开(公告)号：CN105142482A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022853.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G05D1/0246 , A47L2201/04 , G05B15/00 , G05B2219/45098 , G05D1/0251 , G05D1/0274 , G05D2201/0203 , G05D2201/0207 , H04L12/2803
Abstract: 提供了一种清洁机器人。该清洁机器人包括：主体；移动组件，其使所述主体在家中各处移动；成像单元，获得所述主体周围的图像；控制器，使用所获得的图像来生成家居的地图；以及通信单元，向家居监控装置发送所生成的地图。将电子设备的位置和类型信息匹配到家居的二维(2D)或三维(3D)地图的过程可以是自动的。如上所述，家居的地图可以通过利用由清洁机器人所生成的地图来逼真地生成，并且用户手动地登记位于家中的每个房间中的电子设备所经历的不便可以通过自动地登记电子设备来解决。
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公开(公告)号：CN101094009A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710078882.3
申请日：2007-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01Q21/061 , H01Q1/243 , H01Q1/245 , H01Q9/0407 , H01Q9/30 , H04M2250/22
Abstract: 一种用于纠正移动终端的天线的信噪比(SNR)的方法和设备，该方法和设备能够检测用于无线通信的微机电系统(MEMS)可重构天线是否接触外部物质，以纠正天线的SNR。具有MEMS可重构天线的移动终端在执行无线终端期间改变MEMS可重构天线，并且计算SNR，从而将MEMS可重构天线设置为与最大SNR相应的天线形状。
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公开(公告)号：CN112442734B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010787644.5
申请日：2020-08-07
Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。
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公开(公告)号：CN116266530A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211410901.9
申请日：2022-11-11
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。
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公开(公告)号：CN115799297A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210498032.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。
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公开(公告)号：CN115196622A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210207355.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B32/186
Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
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公开(公告)号：CN112750834A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011177930.6
申请日：2020-10-29
IPC: H01L27/108 , H01L21/02 , B82Y30/00
Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。
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公开(公告)号：CN110880447A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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