公开(公告)号：CN1964050A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1790726A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510120431.2

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  柳寅儆 ,  郑镛洙 ,  车映官 ,  李明宰 ,  徐大卫 ,  徐顺爱

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。

公开(公告)号：CN1574363A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046544.8

申请日：2004-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐顺爱 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  朴玩浚

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。

公开(公告)号：CN104425492A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410442976.4

申请日：2014-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  穆罕默德·拉基布·乌丁 ,  李明宰 ,  李商文 ,  李成训 ,  赵成豪

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ-Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。

公开(公告)号：CN104103675A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310520285.7

申请日：2013-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  曹永真 ,  李明宰

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括：衬底；成核层，形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在成核层上并且包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。

公开(公告)号：CN103107283A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210447188.5

申请日：2012-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  金英培 ,  金京旻 ,  金昌桢 ,  李东洙 ,  李明宰 ,  李承烈 ,  张晚

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。

公开(公告)号：CN102982842A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210213817.8

申请日：2012-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张晚 ,  金英培 ,  李东洙 ,  李昌范 ,  李承烈 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  金京旻

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2211/5625 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

Abstract: 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。

公开(公告)号：CN102956822A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210211660.5

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承烈 ,  金英培 ,  金昌桢 ,  李明宰 ,  许智贤 ,  李东洙 ,  张晚 ,  李昌范 ,  金京旻

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/12 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。

公开(公告)号：CN101106171B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610164041.X

申请日：2006-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  李明宰 ,  金东彻

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器，其包括：下电极；中间层，由选自HfO、ZnO、InZnO和ITO中的一种材料形成；可变电阻材料层，形成在中间层上；以及上电极，形成在可变电阻材料层上。可以容易地提供具有根据尺寸的多级双极性开关性质的存储器。

公开(公告)号：CN101714403A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204907.9

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  权奇元 ,  朴宰彻 ,  朴永洙 ,  李明宰

IPC: G11C11/00 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C8/06 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G11C13/0069

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的操作方法，在所述方法中，在编程操作的过程中，可仅将非易失性存储器从第一状态改变为第二状态，而可不从第二状态改变为第一状态。