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公开(公告)号：CN108231887B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201710831485.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体器件。衬底包括图案形成区域和外围区域。第一应变松弛缓冲层设置在衬底的图案形成区域上。第二应变松弛缓冲层设置在衬底的外围区域上。第一绝缘膜图案设置在衬底上。第一绝缘膜图案的至少一部分设置在第一应变松弛缓冲层内。第一绝缘膜图案的上表面由第一应变松弛缓冲层覆盖。第二绝缘膜图案设置在衬底上。第二绝缘膜图案的至少一部分设置在第二应变松弛缓冲层内。第二绝缘膜图案的上表面由第二应变松弛缓冲层覆盖。栅电极设置在第一应变松弛缓冲层上。
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公开(公告)号：CN115621281A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210807743.4
申请日：2022-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，位于衬底上，沿第一方向延伸，并沿第二方向间隔开；栅电极，位于第一有源图案和第二有源图案上并沿第二方向延伸；第一栅极分离结构，位于第一有源图案与第二有源图案之间，沿第一方向延伸，并分离栅电极；以及第一元件分离结构，位于栅电极之间，沿第二方向延伸，并分离第二有源图案，其中，距第一栅极分离结构的第一部分的第一边的距离小于距第一栅极分离结构的第二部分的第一边的距离，并且到第一部分的第二边的距离小于到第二部分的第二边的距离。
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公开(公告)号：CN107257902B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580076985.9
申请日：2015-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
Abstract: 显示模块以及具有该显示模块的显示设备被提供。显示模块包括：导光板，转换所生成的光的路径并通过发射面发射光；量子点(QD)片，提供为对应于发射面以改善从导光板发射的光的颜色再现性；以及至少一个引导构件，固定在机架的内部并支撑导光板和QD片。采用这样的配置，可以改善显示模块的颜色再现性，并且导光板和QD片可以被固定在一起。
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公开(公告)号：CN111226073A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067623.7
申请日：2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的显示装置包括：显示面板；设置在显示面板的后方的导光板；与导光板的侧表面相邻设置的光源；相对于光源倾斜设置的量子点转换构件，量子点转换构件包括量子点粒子并转换从光源发出的光的特性；以及透明构件，透明构件包括面对光源的第一表面、面对量子点转换构件的第二表面以及与导光板的侧表面相邻设置的第三表面，其中透明构件将入射在第三表面上的光的至少一部分透射到导光板的侧表面，并将光的另一部分反射到透明构件的内部。
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公开(公告)号：CN110350027A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910003735.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074921A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710637227.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。
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公开(公告)号：CN103244909B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310005677.X
申请日：2013-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , F21V17/10 , F21S8/00 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133608 , F21V21/00 , G02F1/133602 , G02F1/133603 , G02F1/133604 , G02F2201/46 , G02F2201/465 , G02F2201/54
Abstract: 本发明涉及可用于图像显示设备的背光单元的支承部件、背光单元及图像显示设备，该支承部件包括：支承部分，由透明材料形成，设置在漫射板下面从而支承漫射板，并具有与漫射板接触的第一端；及基座，形成在支承部分的第二端并将支承部分固定到背光单元的下机架。
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公开(公告)号：CN103296088A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310061264.3
申请日：2013-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/6681 , H01L21/02255 , H01L21/32053 , H01L21/76224 , H01L27/092 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。
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公开(公告)号：CN113924524B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080040754.3
申请日：2020-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
Abstract: 公开了一种具有改进的组装性、生产率和质量的显示装置。该显示装置包括：显示面板；后底架，覆盖显示面板的后表面，并且后底架包括朝向显示面板突出的结合突起；反射片，包括供结合突起插入的固定孔，并且当结合突起插入固定孔时，反射片安置在后底架的前表面上；以及基板，在反射片的前方向上结合到后底架，从而防止反射片与后底架分离，其中，配置为朝向显示面板照射光的多个光源安装在基板上。
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