半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115985914A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211252308.6

    申请日:2022-10-13

    Abstract: 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件,栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。

    显示设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107636520B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201680027335.X

    申请日:2016-06-23

    Abstract: 这里公开的是一种显示设备,所述显示设备包括:液晶面板,被配置为显示图像;背光单元,包括光源及设置在从所述光源向所述液晶面板发射的光的路径上的光学构件;机架,设置在所述背光单元上并且沿着其边缘具有多个插入孔;及框架,被构造为支撑所述液晶面板和所述光学构件,所述液晶面板和所述光学构件设置在所述框架和所述机架之间,其中,所述框架通过配合结合到所述机架的所述多个插入孔。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110534561A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201910141074.X

    申请日:2019-02-26

    Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括:在衬底上沿第一方向延伸的鳍型图案;在鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第一栅电极;位于第一栅电极的侧壁上并且位于鳍型图案中的源极/漏极区域;在衬底上沿第一方向延伸的分隔结构,分隔结构包括第一沟槽并与鳍型图案间隔开,并且分割第一栅电极;位于分隔结构的侧壁上并且覆盖源极/漏极区域的层间绝缘层,层间绝缘层包括第二沟槽,第二沟槽的下表面低于第一沟槽的下表面;以及连接到源极/漏极区域并且填充第一沟槽和第二沟槽的接触。

    显示装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107209411B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201680007237.X

    申请日:2016-01-28

    Inventor: 尹慜奎 李炯锡

    Abstract: 在此公开了一种显示装置,其具有:量子点片,其通过转变蓝光的波长来改变颜色;中间框架,其具有中间支撑单元以支撑导光板的前边缘单元;以及增补构件,其联接到中间支撑单元并被构造为反射从源发射的光以防止从光源发射的光通过导光板与中间支撑单元之间的间隙透出,因而可以最小化亮线的产生并且可以提高散热性能。

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