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公开(公告)号：CN106960681B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201710017111.7
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；地址解码器，被配置为通过多条字线连接到存储器单元，并且将选择读取电压和未选择读取电压提供至字线；控制逻辑，被配置为控制地址解码器，以在连续读取模式下执行多个读取序列，并且调节至少一个读取序列中的字线设置开始点，以与在至少一个其它读取序列中的字线设置开始点不同，其中，字线设置开始点是选择读取电压和未选择读取电压开始被提供至字线的时刻。
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公开(公告)号：CN111128283B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911139505.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN111128283A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911139505.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN108288488A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810018862.5
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李知尚
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器装置和存储器系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接至多条字线和多条位线的多个存储器单元；行解码器，其构造为选择性地控制所述多条字线；页缓冲器，其包括分别对应于所述多条位线的多个锁存器；以及控制电路，其构造为响应于在编程循环的运行操作期间产生的挂起请求，在所述多个存储器单元的编程操作的编程循环的验证操作终止之后，控制非易失性存储器装置进入挂起状态。
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公开(公告)号：CN108257632A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711443323.8
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李知尚
CPC classification number: G11C16/3431 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/3418 , G11C16/3459 , G11C8/08
Abstract: 非易失性存储设备可以包括存储单元阵列和控制逻辑。存储单元阵列具有连接到多个字线的多个存储单元。控制逻辑在从用于多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中控制施加恢复电压到多个字线当中的字线。施加到该字线的恢复电压不同于施加到其他字线的恢复电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122582A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711223276.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5671 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/3445 , G11C2211/5621 , G11C16/08 , G11C16/26
Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
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公开(公告)号：CN119473947A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411042088.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置、存储器装置的操作方法、以及存储器系统。该存储器装置包括存储器单元阵列；页缓冲器，其包括对应于页的多个存储器单元的缓冲器单元；控制逻辑，其被配置为控制第一读取操作，使得针对第一页的基于正常读取电平的第一硬判决数据和基于偏移电平的第一软判决数据存储在页缓冲器中。控制逻辑被配置为响应于请求从存储器控制器读取第二页的第一命令而在已经开始针对第二页的第二读取操作之后，执行将第一硬判决数据输出到存储器控制器的控制操作，并且在响应于来自存储器控制器的第二命令而执行第二读操作的同时，将第一软判决数据输出到存储器控制器。
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公开(公告)号：CN119274604A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410191954.9
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了操作存储装置的方法和存储装置，存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：通过存储控制器向非易失性存储器装置提供指示目标存储器块的字线选择操作的第一请求；通过非易失性存储器装置基于第一请求获得目标存储器块的多条字线的分布信息；通过非易失性存储器装置基于分布信息确定所述多条字线之中的劣化字线；以及通过非易失性存储器装置向存储控制器提供指示劣化字线的字线信息。
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公开(公告)号：CN110136764B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910057925.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。
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公开(公告)号：CN107871522B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710872278.1
申请日：2017-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在非易失性存储设备中读取数据的方法中，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作。通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整被在所述第一字线的读取操作期间施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，而执行对所述第一字线的读取操作。
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