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公开(公告)号：CN116110471A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211405464.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。
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公开(公告)号：CN113921064A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110742334.6
申请日：2021-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。
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公开(公告)号：CN106486166A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610708102.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN102479551A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110380017.0
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418
Abstract: 在一个实施例中，所述方法包括：接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求；以及响应于该请求对与第二字线相关联的至少一个存储单元执行读取操作。所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后，并且在第一时间段上执行第一读取操作。所述方法进一步包括基于来自第一读取操作的输出对第一存储单元执行第二读取操作。第二读取操作被执行一第二时间段，并且如果从执行第一读取操作的输出指示第一存储单元没有被耦合，则第一时间段短于第二时间段。
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公开(公告)号：CN119479739A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410261196.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置、一种存储器系统和一种控制非易失性存储器装置的操作的方法。该非易失性存储器装置包括存储器块、页缓冲器电路和控制电路。页缓冲器电路通过位线连接到单元串。控制电路通过以下操作来控制读取操作：通过基于读取电压设定对由访问地址指定的选择的字线执行第一读取操作，将第一感测数据和第二感测数据锁存在页缓冲器电路中；通过基于至少一个相邻的读取电压对与选择的字线相邻的干扰字线执行第二读取操作，将第三感测数据锁存在页缓冲器电路中；基于第三感测数据的编程状态来选择第一感测数据和第二感测数据之一作为硬判决数据；以及通过使用第一感测数据和第二感测数据来生成软判决数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116129974A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211096242.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
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公开(公告)号：CN108122582B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201711223276.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
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公开(公告)号：CN106653073B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201610645104.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有存储单元阵列和页缓冲器电路的非易失性存储设备，所述存储单元阵列包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元(M>2，N>2)，所述页缓冲器电路包括分别耦合至第一位线至第N位线、并分别生成第一输出数据至第N输出数据的第一页缓冲器至第N页缓冲器。第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线进行放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据(K≤N，L>1，P≤M)。如果第一锁存器的读数据中的误差可校正，则第K页缓冲器输出第一输出数据。
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公开(公告)号：CN114446366A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111274226.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。
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公开(公告)号：CN110136764A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910057925.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。
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