公开(公告)号：CN115084066A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210231194.0

申请日：2022-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申承勋 ,  姜芸炳 ,  高永权 ,  李种昊 ,  李泽勋 ,  许埈荣

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片基板以及穿过第一芯片基板的第一贯穿通路；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上并包括第二芯片基板以及穿透第二芯片基板的第二贯穿通路；以及连接端子，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间以电连接第一贯穿通路和第二贯穿通路。该半导体器件进一步包括芯片间模制材料，该芯片间模制材料包括填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并包围连接端子的填充部分、沿着第二半导体芯片的侧表面的至少一部分延伸的延伸部分以及从延伸部分突出的突出部分。

公开(公告)号：CN113690213A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110211890.0

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  李种昊 ,  金志勳 ,  金泰勳 ,  朴相天 ,  薛珍暻 ,  李相勳

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。

公开(公告)号：CN110739281A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910658593.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤基 ,  金祥洙 ,  金承焕 ,  吴琼硕 ,  李镕官 ,  李种昊

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域；第一区域上的第二半导体芯片；第二区域上的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。