-
公开(公告)号：CN1749571A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510070434.X
申请日：2005-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F04C29/06 , F04C23/00 , F04C18/356
CPC classification number: F04B39/0061
Abstract: 一种多气缸压缩机被设计具有良好的噪音和脉动减小效果并且也容易制造。多气缸压缩机包括彼此隔开的第一和第二压缩室以分别执行气体的压缩，被分别设置到第一和第二压缩室的释放开口的第一和第二消声器以及从第一和第二消声器延伸预定长度的第一和第二释放流动路径以在引导压缩气体的释放时减小噪音和脉动。
-
公开(公告)号：CN120050945A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510099816.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了半导体器件，包括：第一电极线，设置在基板上，第一电极线在第一方向上延伸；第二电极线，设置在第一电极线之上，第二电极线在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，设置在第一电极线和第二电极线的交叉处并在第一电极线和第二电极线之间，第一存储单元包括在向上或向下方向上堆叠的选择器件层、中间电极层和可变电阻层；下绝缘层，设置在两个相邻的第一电极线之间以及相邻的第一存储单元之间；以及上绝缘层，在两个相邻的第二电极线之间设置在下绝缘层上。第一存储单元具有朝向第一存储单元的下部逐渐变宽的渐缩的斜坡，第一电极线的上部通过与第一存储单元的渐缩的斜坡相反的渐缩的斜坡接触第一存储单元。
-
公开(公告)号：CN118265292A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311342424.1
申请日：2023-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。
-
公开(公告)号：CN110875069B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
-
公开(公告)号：CN116916661A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310411526.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 公开了一种存储器件，包括：在衬底上的栅堆叠，包括沿竖直方向交替堆叠的绝缘层和栅电极，并沿竖直方向限定通孔；以及在通孔中的柱结构，柱结构包括：多个沟道部分，在通孔中面向栅电极并具有环形水平截面；多个导电层，在通孔中面向绝缘层，具有环形水平截面并具有相对于沟道部分的内壁朝向通孔的中心突出的内壁；以及可变电阻材料层，在通孔中沟道部分的内壁和导电层的内壁上，并且可变电阻材料层的第一部分沿竖直方向与导电层重叠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114079005A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110918866.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
-
公开(公告)号：CN107644934B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1‑a)Z](1‑U)[N]U‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
-
公开(公告)号：CN110896087A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910857500.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种开关元件、可变电阻存储器装置和制造该开关元件的方法。所述开关元件包括：设置在衬底上的下阻挡电极；设置在下阻挡电极上的开关图案；以及设置在开关图案上的上阻挡电极。开关图案包括第一开关图案和第二开关图案，所述第二开关图案设置在第一开关图案上并具有与第一开关图案的密度不同的密度。
-
公开(公告)号：CN1959990A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610126604.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/56
CPC classification number: H01L28/91 , G11C11/4091
Abstract: 提供了耦合电容器及使用其的半导体存储器件。在实施例中，半导体存储器件的每个存储单元包括耦合电容器，使得存储电容器能够存储至少2位数据。耦合电容器具有相对与存储电容器的电容有预设比率的电容。为此，通过与存储电容器基本上相同的制造方法来形成耦合电容器。通过选择合适数目的单个电容器来获得预设比率，每个具有与存储电容器相同的电容，以包括耦合电容器。同样，耦合电容器设置在层间绝缘层上，该层间绝缘层掩埋单元区中的位线和感应放大区中的感应放大器。
-
公开(公告)号：CN1211040A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98117489.2
申请日：1998-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器(FRAM)器件,包括一条字线,一条极板线,一条位线,和一个铁电存储单元。该铁电存储单元包括一个铁电电容器和一个选择晶体管。铁电电容器的一个电极经选择晶体管与位线耦合,其另一电极与极板线耦合,选择晶体管的控制极与字线耦合。该FRAM器件还包括一个用于产生提供至极板线的一个极板脉冲信号的极板脉冲发生器。根据不同的操作模式,产生的极板脉冲信号具有不同的电压电平。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.039 seconds)
