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公开(公告)号:CN114764165A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202110764979.X
申请日:2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种光隔离器,包括:半导体衬底;光衰减器和光放大器,在半导体衬底上彼此对准;输入光波导,连接到光衰减器;以及输出光波导,连接到光放大器,其中,基于入射到光放大器上的光的强度增大,光放大器的增益降低,其中,通过输入光波导入射在光衰减器上的第一输入光通过输出光波导被输出为第一输出光,并且通过输出光波导入射在光放大器上的第二输入光通过输入光波导被输出为第二输出光,并且其中,当第一输入光的强度与第二输入光的强度相等时,第一输出光的强度大于第二输出光的强度。
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公开(公告)号:CN103513331B
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201310258082.5
申请日:2013-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2201/063 , G02F2201/066 , G02F2202/105
Abstract: 本发明提供一种光学集成电路,该光学集成电路可包括包含单晶半导体材料的基板、在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的无源元件、以及在基板的 晶向上延伸并且包括该单晶半导体材料的有源元件。
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公开(公告)号:CN103489834A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310225225.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/4207 , G02B6/4214 , G02B6/428 , G02B6/43 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件及包括该半导体封装件的半导体装置。半导体封装件包括:封装基底;多个连接元件,设置在封装基底上;以及半导体芯片,半导体芯片包括至少一个光学输入/输出元件,所述至少一个光学输入/输出元件相对于与封装基底的底表面垂直的方向以光学输入/输出角度将光信号传输至外部/从外部接收光信号,半导体芯片通过所述多个连接元件电连接到封装基底。
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公开(公告)号:CN101953097B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN200980106117.5
申请日:2009-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B10/116
CPC classification number: H04B10/116 , H04B10/1149
Abstract: 提供一种在可见光通信系统中用于发送和接收数据的装置和方法,该装置包括:可见光通信(VLC)收发器,用于在接收操作期间通过使用光接收设备,将从对方接收的可见光信号转换为电信号并输出该电信号,以及在发送操作期间通过使用发光设备,将包含信息的电信号转换为可见光信号并将该可见光信号发送到对方;VLC控制器,包括用于产生可见帧并将可见帧输出到该VLC收发器的可见帧引擎(VFE),其中该VFE在不传输用于在发送器和接收器处通信的各个帧的期间产生用于传输到对方的可见帧,以便向通信链路提供可见度;以及主机控制器,用于控制VLC控制器并且向该VLC控制器发送数据和从该VLC控制器接收数据。
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公开(公告)号:CN102169270A
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN201010530097.9
申请日:2010-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F2/00
CPC classification number: H04B10/801 , H04J14/08
Abstract: 一种光串行化器/解串行化器(SERDES)包括串行电路,其包括多个未调制光信号的源,调制单元,用于使用用于调制多个未调制光信号的多个电信号来产生多个调制光信号;和耦合单元,用于延迟多个调制光信号以产生多个延迟的调制光信号并且组合延迟的调制光信号以产生串行化的调制光信号。SERDES的解串行化电路包括:分光器,用于将串行化调制光信号分解为多个调制分解光信号;解调单元,用于解调该调制分解光信号并且产生相应的多个解调分解光信号;和延迟单元,用于按相应的延迟量来延迟多个调制分解光信号中的每个从而串行化调制光信号转换为相应的多个并行的解调分解光信号。
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公开(公告)号:CN110061418B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN201811563837.1
申请日:2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体激光器件包括:在基底上的第一包覆层,包括氮化镓(GaN);在第一包覆层上的光波导;顺序地堆叠在光波导上第一接触图案、第一SCH图案、第一有源图案、第二SCH图案、第二包覆层和第二接触图案;以及分别在第一接触图案和第二接触图案上的第一电极和第二电极。
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