具有再分配层的半导体封装件
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110660776A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910163905.3

    申请日:2019-03-05

    Abstract: 半导体封装件包括硅衬底,其包括腔体和与腔体间隔开的多个通孔;第一半导体芯片,其位于所述腔体中;多个导电过孔,其位于所述多个通孔中;第一再分配层,其位于所述硅衬底上并且连接到所述第一半导体芯片和所述导电过孔;以及第二再分配层,其位于所述硅衬底下方,并且连接至所述第一半导体芯片和所述多个导电过孔。

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