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公开(公告)号：CN112018135A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010242010.1
申请日：2020-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 公开了一种组合结构、光学过滤器、图像传感器、相机模块以及包括组合结构、光学过滤器、图像传感器和相机模块的电子装置。该组合结构包括：纳米结构阵列，包括重复地布置的具有比近红外波长小的尺寸的多个纳米结构；以及光吸收部分，与纳米结构阵列相邻并包括配置为吸收近红外波长区域的至少一部分中的光的近红外吸收材料。
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公开(公告)号：CN110858549A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910345056.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以覆盖半导体芯片的至少一个表面。
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公开(公告)号：CN108695351A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810301464.4
申请日：2018-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: G02B5/201 , G01J1/0492 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14601
Abstract: 提供一种包括分色元件的图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列，包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素；分色元件，配置为朝向第二像素引导第二波段中的光并且朝向第一像素或第三像素引导第一波段中的光和第三波段中的光的混合物；以及滤色器层，包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，其中第二滤色器的通带宽度大于第一滤色器和第三滤色器的每个的通带宽度。
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公开(公告)号：CN107037519A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610875262.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/20 , H01L27/146
Abstract: 提供了分色器结构、制造分色器结构的方法、包括分色器结构的图像传感器、制造图像传感器的方法和包括图像传感器的光学设备。分色器可包括多个分色器元件，配置为根据波长将入射光分成多个出射光，并且分色器元件的至少一个可包括：第一元件部分；第二元件部分，设置为相对于第一元件部分偏移以部分地与第一元件部分重叠；以及蚀刻停止层，提供在第一和第二元件部分之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695351B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201810301464.4
申请日：2018-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种包括分色元件的图像传感器。该图像传感器包括：像素阵列，包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素；分色元件，配置为朝向第二像素引导第二波段中的光并且朝向第一像素或第三像素引导第一波段中的光和第三波段中的光的混合物；以及滤色器层，包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，其中第二滤色器的通带宽度大于第一滤色器和第三滤色器的每个的通带宽度。
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公开(公告)号：CN107039567B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610848247.8
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/44 , H01L31/18 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L27/146
Abstract: 提供一种包括具有高折射率的光学功能层的光学装置、图像传感器以及制造该光学装置的方法。光学功能层包括相变材料，该相变材料在第一温度范围中的热处理期间具有第一折射率并在高于第一温度范围的第二温度范围中的热处理期间具有高于第一折射率的第二折射率。通过使用微加热器而不必在高温被沉积，光学功能层可以配置为具有第二折射率。
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公开(公告)号：CN103531422B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310187294.9
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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公开(公告)号：CN106489186B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480080614.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 金乌工科大学校产学协力团
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J19/24 , H01J1/30 , H01J9/022 , H01J9/148 , H01J19/38 , H01J19/44 , H01J2209/022
Abstract: 一种使用石墨烯的电子发射设备及其制造方法被公开。公开的电子发射设备包括：具有至少一个形成在其上的槽的金属支架；至少一个发射器板，其被设置为插入到槽中从金属支架的第一面突出并且包括发射器支撑构件和附接在发射器支撑构件上的石墨烯发射器；设置在金属支架的第一面上的绝缘层；以及栅电极，其被设置在绝缘层上并且包括栅极支撑构件和附接到栅极支撑构件上的石墨烯栅极。
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公开(公告)号：CN106489186A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480080614.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 金乌工科大学校产学协力团
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J19/24 , H01J1/30 , H01J9/022 , H01J9/148 , H01J19/38 , H01J19/44 , H01J2209/022
Abstract: 一种使用石墨烯的电子发射设备及其制造方法被公开。公开的电子发射设备包括：具有至少一个形成在其上的槽的金属支架；至少一个发射器板，其被设置为插入到槽中从金属支架的第一面突出并且包括发射器支撑构件和附接在发射器支撑构件上的石墨烯发射器；设置在金属支架的第一面上的绝缘层；以及栅电极，其被设置在绝缘层上并且包括栅极支撑构件和附接到栅极支撑构件上的石墨烯栅极。
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