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公开(公告)号：CN100438035C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN101026002A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084975.7
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808
Abstract: 提供磁存储器装置。该磁存储器装置包括多个存储器轨道、位线、连接器、第一输入部分和选择部分。多个存储器轨道在基片上被堆叠来形成多堆栈。在存储器轨道中形成多个磁畴，使得可以由磁畴表示数据位并可以以阵列进行存储。位线形成在相应存储器轨道附近。连接器构成磁隧道连接(MTJ)单元以及存储器轨道的一个数据位区域。第一输入部分电连接到每个存储器轨道，并且输入将存储在存储器轨道的数据位区域中的数据移动到相邻数据位区域的磁畴运动信号。选择部分从多个存储器轨道中选择要在其上执行读取或写入操作的存储器轨道。
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公开(公告)号：CN1276435C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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公开(公告)号：CN1269600C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410043022.2
申请日：2004-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , H01F1/14733 , H01M4/52 , Y10S977/777 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供非磁性镍粉及其制备方法。该镍粉具有非磁性特性和HCP晶体结构。该方法包括(a)将具有FCC晶体结构的镍粉分散在有机溶剂中以制备起始材料分散体；(b)加热该起始材料分散体从而将具有FCC晶体结构的镍粉转变成具有HCP晶体结构的镍粉。本发明的镍粉不显示磁性团聚现象。因此，含有本发明镍粉的用于形成各种电子器件中内电极的浆料能保持很好的分散状态。而且，由该镍粉制成的内电极即使在高频带下也具有低的阻抗值。
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公开(公告)号：CN1607607A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410095199.7
申请日：2004-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105 , H01L21/82
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/06 , H01F10/3254 , H01F41/308 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁随机存取存储器(MRAM)和制造该MRAM的方法，该MRAM具有包括晶体管和连接到晶体管的MTJ层的单元，该MTJ层具有均匀厚度的隧道膜。MTJ层包括：下层电极；下层磁膜；具有均匀厚度、无波的隧道膜；以及上层磁膜，并且下层电极包括第一下层电极和无定形第二下层电极。在下层电极和下层磁膜之间还可以形成无定形平整膜。
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公开(公告)号：CN1467744A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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公开(公告)号：CN1422977A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02128681.7
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用共溅射法沉积赫斯勒合金薄膜的方法。通过利用一沉积装置的共溅射,该赫斯勒合金薄膜具有通常的结构式X2YZ或XYZ,该沉积装置具有放置在反应室中一基板台上的基板、以及放置在远离该基板的靶架上的靶。赫斯勒合金薄膜的各组元以单靶和双合金靶中的一种的形式放置在该靶架上。因此,易于制造具有优异磁性能的赫斯勒合金薄膜。
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公开(公告)号：CN113872623B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202111320596.X
申请日：2018-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种发送具有不同无线通信标准的第一发送信号及第二发送信号的收发器装置。所述收发器装置包括功率放大器，所述功率放大器在第一发送模式中放大所述第一发送信号。第一阻抗电路将经放大的所述第一发送信号提供到射频输出端口。第二阻抗电路连接到所述第一阻抗电路且在所述第一发送模式中为所述第一阻抗电路提供额外阻抗。第一开关在第二发送模式中将所述第二发送信号提供到所述第一阻抗电路。第二开关在所述第一发送模式中将所述第二阻抗电路与地连接且在所述第二发送模式中使所述第二阻抗电路浮置。
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公开(公告)号：CN108227964A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711334330.4
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0354 , G06K9/00
CPC classification number: G06K9/001 , G06F1/16 , G06F1/1656 , G06F1/1684 , G06F3/0354 , G06K9/00006 , G06K9/00013 , G06K2009/00946
Abstract: 根据各种示例性实施例，公开了一种电子设备。所述电子设备包括：壳体，具有面向第一方向的第一表面和面向相反的第二方向的第二表面。所述第一表面的第一区域包括多个可选择的输入按键。所述第一表面的第二区域不包括所述多个按键。传感器模块(例如指纹传感器)安装到所述第一区域。
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