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公开(公告)号：CN109525257A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810879310.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种发送具有不同无线通信标准的第一发送信号及第二发送信号的发送器装置及收发器装置。所述发送器装置包括功率放大器，所述功率放大器在第一发送模式中放大所述第一发送信号。第一阻抗电路将经放大的所述第一发送信号提供到射频输出端口。第二阻抗电路连接到所述第一阻抗电路且在所述第一发送模式中为所述第一阻抗电路提供额外阻抗。第一开关在第二发送模式中将所述第二发送信号提供到所述第一阻抗电路。第二开关在所述第一发送模式中将所述第二阻抗电路与地连接且在所述第二发送模式中使所述第二阻抗电路浮置。
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公开(公告)号：CN102522498A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110441857.3
申请日：2005-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。
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公开(公告)号：CN101026000B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200710084953.0
申请日：2007-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/14
CPC classification number: G11C11/16 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C2213/77
Abstract: 本发明提供一种磁存储装置。所述磁存储装置包括：记录层、参考层、第一输入部分以及第二输入部分。所述记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，且所述参考层对应于记录层的一部分并具有被钉扎磁化方向。所述记录层具有其中形成多个数据位区的数据存储单元，每个数据位区由磁畴构成。所述磁畴与参考层的有效尺寸相对应。第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号以将记录层的数据位区中存储的数据移动到相邻数据位区。
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公开(公告)号：CN1622221B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200410095360.0
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种MRAM的分析设备和MRAM的分析方法。该分析设备包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；位于对应于MRAM安装部件位置的探针板；指定MRAM的单位存储单元的矩阵开关；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。该分析设备与方法可以用相对简单的结构快速分析单位存储单元的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1747059B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200510087878.4
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。
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公开(公告)号：CN100459205C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03152609.8
申请日：2003-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11C11/15 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L43/08 , Y10T428/31826
Abstract: 本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒、和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。
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公开(公告)号：CN100336165C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03139091.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰完 , 尤里·N·托尔马切夫 , 马东俊 , 瑟吉·Y·纳瓦拉
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括：注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。
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公开(公告)号：CN1747059A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510087878.4
申请日：2005-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1675 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673
Abstract: 本发明涉及磁膜结构及其制造方法、半导体器件及其运行方法。该磁膜结构包括：下磁膜；形成在该下磁膜上的隧穿膜；形成在该隧穿膜上的上磁膜，其中该下和上磁膜是铁磁膜，当该下和上磁膜具有相反的磁化方向时，在其间形成电化学势差。
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公开(公告)号：CN1232985C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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