半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2020121652A1

    公开(公告)日:2021-10-21

    申请号:JP2019041308

    申请日:2019-10-21

    Abstract: 絶縁層と配線導体とを備えた半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法であって、コア樹脂層の片面又は両面に厚さが1μm〜70μmであり剥離可能な第1の金属層と第1の絶縁性樹脂層と第2の金属層とを備えた基板を形成する第1の基板形成工程(a)と、第1の金属層表面に達する非貫通孔を形成しその内壁に電解及び/又は無電解銅めっきを施し、第2及び第1の金属層を接続させる第1の層間接続工程(b)と、第2の絶縁性樹脂層と第3の金属層とを配置し第1の基板を加熱加圧して基板を形成する第2の基板形成工程(c)と、第2の金属層の表面に達する非貫通孔を形成しその内壁に電解及び/又は無電解銅めっきを施し、第2及び第3の金属層を接続させる第2の層間接続工程(d)と、第3の基板を剥離する剥離工程(e)と、第1及び第3の金属層をパターニングして配線導体を形成する配線導体形成工程(f)と、を含む。

    絶縁性樹脂層付き銅箔
    28.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2019116927A1

    公开(公告)日:2020-12-17

    申请号:JP2018044142

    申请日:2018-11-30

    Abstract: 本発明は、高密度な微細配線が形成された薄型のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができる絶縁性樹脂層付き銅箔の提供を目的とする。本発明の絶縁性樹脂層付き銅箔は、銅箔と、前記銅箔に積層された絶縁性樹脂層と、を含み、前記絶縁性樹脂層と接する前記銅箔面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05〜2μmであり、前記絶縁性樹脂層が、(A)熱硬化性樹脂、(B)球状フィラー及び(C)平均繊維長が10〜300μmであるガラス短繊維を含む樹脂組成物からなる。

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