公开(公告)号：CN107112367B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201680005079.4

申请日：2016-01-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平野梨伊 ,  中川直纪 ,  村上隆昭 ,  井上和式 ,  小田耕治

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。

公开(公告)号：CN107112367A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680005079.4

申请日：2016-01-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平野梨伊 ,  中川直纪 ,  村上隆昭 ,  井上和式 ,  小田耕治

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及构成液晶显示装置的薄膜晶体管基板，具备薄膜晶体管、第一电极、栅极布线以及源极布线，所述薄膜晶体管具有：栅电极；栅极绝缘膜，覆盖栅电极；半导体层，设置于隔着栅极绝缘膜而与栅电极相向的位置；沟道保护膜，覆盖半导体层；保护膜，覆盖沟道保护膜上；以及源电极和漏电极，经由以贯通保护膜及沟道保护膜的方式设置的第一接触孔而与半导体层相接，所述第一电极与漏电极电连接，所述栅极布线从栅电极延伸，所述源极布线与源电极电连接，源极布线和源电极以及第一电极和漏电极分别经由贯通保护膜的第二接触孔而电连接，第一电极和源极布线具有在第一绝缘膜上形成的第一透明导电膜，第一绝缘膜用与沟道保护膜相同的材料形成。

公开(公告)号：CN102484149B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200980161223.3

申请日：2009-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  山县有辅

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0527 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 在具备将光变换为电的光电变换层(4)、和设置于所述光电变换层(4)的与光入射侧相反的一侧而使通过了所述光电变换层(4)的光反射到所述光电变换层侧的反射电极(5b)的太阳能电池(1)中，为了实现粘接性以及热耐蚀性优良、并且具有稳定的电特性以及良好的光反射特性的反射电极，来得到可靠性高、且电特性以及光学特性优良的太阳能电池，所述反射电极(5b)在所述光电变换层(4)侧具有以银为主成分并含有氮而成的金属层(5b)。

公开(公告)号：CN104102059A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410131136.6

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  井上和式 ,  石贺展昭 ,  宫川修

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。

公开(公告)号：CN101611345B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880004975.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  小田耕治 ,  中川直纪 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/06 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。

公开(公告)号：CN101097927A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710109700.4

申请日：2007-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田和幸 ,  石贺展昭 ,  井上和式

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。

公开(公告)号：CN101089710A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110027.6

申请日：2007-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  平川诚 ,  津田久美

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备：栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有：覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备：反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19)。而且，设置有像素电极(23)，该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上，并与TFT进行电连接。

公开(公告)号：CN101017254A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610153180.2

申请日：2006-12-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古藤直树 ,  井上和式

IPC: G02F1/13 ,  G01J3/50 ,  G02F1/1333

Abstract: 得到能够高效测定基板面内的反射特性和散射特性的反射率测定装置。本发明的一个方式所涉及的反射率测定装置(100)，包括：对作为被测定物的基板(101)进行载置的载物台(102)；对载置于载物台(102)的基板(101)照射照明光的第一照明光源(103)和第二照明光源(105)；和具备受光元件的第一检测器(104)和第二检测器(106)，所述受光元件接收从该第一照明光源(103)和第二照明光源(105)照射的照明光中被基板(101)反射的反射光；第一照明光源(103)以任意的角度对基板(101)照射光，第二照明光源(105)以环状对基板(101)照射光。

公开(公告)号：CN1577017A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。

公开(公告)号：CN108027541B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201680052503.0

申请日：2016-09-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  今村谦 ,  津村直树 ,  小田耕治

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。