非冷却光半导体装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102593712A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110443630.2

    申请日:2011-12-27

    Inventor: 冈田规男

    CPC classification number: H01S5/0683 G02F1/0123 H01S5/0085

    Abstract: 本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器(1)输出激光。电场吸收型光调制器(2)吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器(2)的电压而变化。在电场吸收型光调制器(2)吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管(4)对半导体激光器(1)的背面光进行监视。APC(AutoPowerControl)电路(5)将监视光电二极管(4)的光接收电流对供给到半导体激光器(1)的偏置电流进行反馈。偏置电路(6)将电场吸收型光调制器(2)的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器(2)的偏置电压进行反馈。

    光调制装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102455524A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201110337921.3

    申请日:2011-10-14

    Inventor: 冈田规男

    CPC classification number: G02F1/0121

    Abstract: 本发明得到能够防止高频特性恶化、降低功率消耗、防止光调制元件故障的光调制装置。从输入端子(IN)输入调制信号。光调制元件(10)的正极连接于输入端子(IN),光调制元件(10)的负极接地。匹配电阻(R1)和匹配电容器(C1)与光调制元件(10)并联连接。匹配电容器(C1)与匹配电阻(R1)串联连接。保护电阻(R2)与光调制元件(10)、匹配电阻(R1)以及匹配电容器(C1)并联连接。

    激光光源装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116529657A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202080107412.9

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 引脚(2a、2b)贯通金属管座(1)。支承块(3)安装在金属管座(1)之上。电介质基板(4)安装于支承块(3)的侧面。信号线路(5a、5b)形成于电介质基板(4)。信号线路(5a、5b)的一端与引脚(2a、2b)连接。半导体光调制元件(6)安装于电介质基板(4)。导电线(8a、8b)将信号线路(5a、5b)的另一端与半导体光调制元件(6)连接。半导体光调制元件(6)具有相互分离的多个光调制器(6b、6c)。

    光发送模块
    24.
    发明公开
    光发送模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN114731022A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201980102476.7

    申请日:2019-12-04

    Abstract: 光发送模块具备:多个半导体激光器(8a、8b),它们设置在固定于块(2)的侧面的次支承(4)上,所述块(2)固定于板状且金属制的芯柱(1)上;和帽,其供透镜(12)固定并且覆盖配置于芯柱(1)上的全部部件,所述光发送模块构成为:与多个半导体激光器(8a、8b)相同数量的多个引线销(3a、3b)分别贯通于设置在芯柱(1)的多个孔,多个引线销(3a、3b)的每一个与多个半导体激光器(8a、8b)的每一个电连接,从外部的电源通过多个引线销(3a、3b)的每一个而对多个半导体激光器(8a、8b)的每一个施加有将芯柱设为接地电位的单相的电信号,使多个半导体激光器(8a、8b)进行调制、振荡。

    光模块
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111712975A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN201880088591.9

    申请日:2018-02-09

    Abstract: 特征在于,具有:管座,其具有第1面和与该第1面相反侧的第2面;热电冷却器,其具有固定于该第1面的散热基板;半导体激光元件,其安装于该热电冷却器;盖,其固定于该第1面,以将该热电冷却器和该半导体激光元件覆盖的方式设置;透镜,其固定于该盖;以及约束体,其固定于该第2面,该散热基板和该约束体的线热膨胀系数小于该管座的线热膨胀系数。

    非冷却光半导体装置
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102593712B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201110443630.2

    申请日:2011-12-27

    Inventor: 冈田规男

    CPC classification number: H01S5/0683 G02F1/0123 H01S5/0085

    Abstract: 本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器(1)输出激光。电场吸收型光调制器(2)吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器(2)的电压而变化。在电场吸收型光调制器(2)吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管(4)对半导体激光器(1)的背面光进行监视。APC(AutoPowerControl)电路(5)将监视光电二极管(4)的光接收电流对供给到半导体激光器(1)的偏置电流进行反馈。偏置电路(6)将电场吸收型光调制器(2)的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器(2)的偏置电压进行反馈。

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