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公开(公告)号：CN114731022A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980102476.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/02212 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/042 , H01S5/40
Abstract: 光发送模块具备：多个半导体激光器(8a、8b)，它们设置在固定于块(2)的侧面的次支承(4)上，所述块(2)固定于板状且金属制的芯柱(1)上；和帽，其供透镜(12)固定并且覆盖配置于芯柱(1)上的全部部件，所述光发送模块构成为：与多个半导体激光器(8a、8b)相同数量的多个引线销(3a、3b)分别贯通于设置在芯柱(1)的多个孔，多个引线销(3a、3b)的每一个与多个半导体激光器(8a、8b)的每一个电连接，从外部的电源通过多个引线销(3a、3b)的每一个而对多个半导体激光器(8a、8b)的每一个施加有将芯柱设为接地电位的单相的电信号，使多个半导体激光器(8a、8b)进行调制、振荡。
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公开(公告)号：CN109844963B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201680090354.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 衬底(1)具有表面和与表面相对的背面。在衬底(1)的表面依次层叠有n型层(2)、倍增层(3)、p型电场控制层(4)、光吸收层(5)以及窗口层(6)。在窗口层(6)的一部分形成有p型区域(7)。阳极电极(8)形成于p型区域(7)之上，与p型区域(7)连接。阳极焊盘(9)以及阴极焊盘(10)形成于衬底(1)的背面。第1连接孔(11)以及第2连接孔(12)贯穿衬底(1)。第3连接孔(13)从窗口层(6)贯穿至n型层(2)。阴极焊盘(10)经由第1连接孔(11)与n型层(2)电连接。阳极焊盘(9)经由第2连接孔(12)以及第3连接孔(13)与阳极电极(8)电连接。在衬底(1)的背面具有受光区域(16)。
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公开(公告)号：CN103515396A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310235175.6
申请日：2013-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山路和树
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明得到能够得到高的开口率且能够防止频带的劣化和S/N比的劣化的光电二极管阵列。在n型InP衬底（1）的主面上，与n型InP衬底（1）的主面对置的俯视时为直线状的多个光电二极管（2），互相离开而平行地并排。埋入层（12）埋入多个光电二极管（2）之间。在埋入层（12），设有剖面为V字型的分离槽（13）。在分离槽（13）的斜面上，设有金属镜（14）。金属镜（14）将从n型InP衬底（1）的背面入射的入射光反射并引导至多个光电二极管（2）的光吸收层（4）。埋入层（12）的带隙比光吸收层（4）的带隙宽。
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公开(公告)号：CN105990464B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610169108.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 得到一种半导体受光元件，其能够兼顾高速响应性和抑制元件劣化。在衬底(1)之上依次层叠有p型导电层(2)、光吸收层(3)、倍增层(5)以及n型InP窗层(7)，该光吸收层(3)具有比入射光小的带隙，该倍增层(5)进行雪崩倍增。n型导电层(8)形成在n型InP窗层(7)的一部分区域之上。第一p型导电区域(11)形成在n型InP窗层(7)之中未与n型导电层(8)接触的区域。第一p型导电区域(11)未到达至倍增层(5)，未与能够从外部供电的电极接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844963A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201680090354.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 衬底(1)具有表面和与表面相对的背面。在衬底(1)的表面依次层叠有n型层(2)、倍增层(3)、p型电场控制层(4)、光吸收层(5)以及窗口层(6)。在窗口层(6)的一部分形成有p型区域(7)。阳极电极(8)形成于p型区域(7)之上，与p型区域(7)连接。阳极焊盘(9)以及阴极焊盘(10)形成于衬底(1)的背面。第1连接孔(11)以及第2连接孔(12)贯穿衬底(1)。第3连接孔(13)从窗口层(6)贯穿至n型层(2)。阴极焊盘(10)经由第1连接孔(11)与n型层(2)电连接。阳极焊盘(9)经由第2连接孔(12)以及第3连接孔(13)与阳极电极(8)电连接。在衬底(1)的背面具有受光区域(16)。
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公开(公告)号：CN105280732B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510419547.X
申请日：2015-07-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/02161 , H01L31/02164 , H01L31/109
Abstract: 本发明的目的在于提供一种受光元件，该受光元件能够加快响应速度，并且能够防止正极电极与负极电极的短路。本发明的受光元件具备：第1导电型的衬底；第1导电型的光吸收层，其在该衬底上形成，与该衬底相比带隙较小；第2导电型的扩散层，其在该光吸收层的一部分上形成；第1导电型的窗口层，其在该光吸收层上以包围该扩散层的方式形成，与该光吸收层相比带隙较大；正极电极，其在该扩散层上形成；以及负极电极，其在该衬底上，以不与该窗口层和该光吸收层接触，而与该衬底接触的方式设置，该受光元件形成有槽，该槽在俯视观察时包围该扩散层与该窗口层之间的边界，在剖视观察时贯通该窗口层和该光吸收层。
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公开(公告)号：CN105990464A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610169108.2
申请日：2016-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/107
Abstract: 得到一种半导体受光元件，其能够兼顾高速响应性和抑制元件劣化。在衬底(1)之上依次层叠有p型导电层(2)、光吸收层(3)、倍增层(5)以及n型InP窗层(7)，该光吸收层(3)具有比入射光小的带隙，该倍增层(5)进行雪崩倍增。n型导电层(8)形成在n型InP窗层(7)的一部分区域之上。第一p型导电区域(11)形成在n型InP窗层(7)之中未与n型导电层(8)接触的区域。第一p型导电区域(11)未到达至倍增层(5)，未与能够从外部供电的电极接触。
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公开(公告)号：CN114731022B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201980102476.7
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/02212 , H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/042 , H01S5/40
Abstract: 光发送模块具备：多个半导体激光器(8a、8b)，它们设置在固定于块(2)的侧面的次支承(4)上，所述块(2)固定于板状且金属制的芯柱(1)上；和帽，其供透镜(12)固定并且覆盖配置于芯柱(1)上的全部部件，所述光发送模块构成为：与多个半导体激光器(8a、8b)相同数量的多个引线销(3a、3b)分别贯通于设置在芯柱(1)的多个孔，多个引线销(3a、3b)的每一个与多个半导体激光器(8a、8b)的每一个电连接，从外部的电源通过多个引线销(3a、3b)的每一个而对多个半导体激光器(8a、8b)的每一个施加有将芯柱设为接地电位的单相的电信号，使多个半导体激光器(8a、8b)进行调制、振荡。
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公开(公告)号：CN115943499A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202080100018.2
申请日：2020-07-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山路和树
IPC: H01L31/0203
Abstract: 多个引线引脚(2a～2d)贯通圆形的管座(1)，并具有信号用引线引脚(2a、2b)。块体(4)设置于管座(1)的上表面。波导型受光元件(9)设置于块体(4)的侧面。放大器(6)设置于块体(4)的侧面，对从波导型受光元件(9)输出的电信号进行放大。第一中继基板(11)设置于管座(1)的上表面，并配置在块体(4)与信号用引线引脚(2a、2b)之间。第一传输线路(12a、12b)设置于第一中继基板(11)。第一导线(10f、10g)将第一传输线路(12a、12b)的一端与放大器(6)的输出端子连接。第二导线(10h、10i)将第一传输线路(12a、12b)的另一端与信号用引线引脚(2a、2b)连接。
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