公开(公告)号：CN104446463A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410553563.3

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9

公开(公告)号：CN104071855A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410054149.8

申请日：2014-02-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C01G53/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: C09D5/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明提供一种LaNiO3薄膜形成用组合物以及利用该组合物的LaNiO3薄膜的形成方法。该LaNiO3薄膜形成用组合物包括LaNiO3前驱体和乙酸，在所述LaNiO3薄膜形成用组合物100质量%中，LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，所述LaNiO3薄膜形成用组合物还包括由N-甲基甲酰胺组成的稳定剂，所述稳定剂相对于组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔，超过0且为10摩尔以下。

公开(公告)号：CN103979617A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410045429.2

申请日：2014-02-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C01G53/00 ,  H01B1/08

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种LaNiO3薄膜形成用组合物、及使用该组合物的LaNiO3薄膜形成方法，其课题在于形成一种极少产生空隙的均匀的LaNiO3薄膜。本发明的LaNiO3薄膜形成用组合物包含：LaNiO3前驱体；第1有机溶剂，选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷类、芳香族系及四氢呋喃中的一种或两种以上；稳定剂，选自β-二酮、β-酮类、β-酮酯类、含氧酸类、二醇、三醇、羧酸、烷醇胺及多元胺中的一种或两种以上；及第2有机溶剂，沸点为150～300℃且具有20～50dyn/cm的表面张力，其中，组合物100质量%中的LaNiO3前驱体的比例以氧化物换算为1～20质量%，稳定剂的比例相对于组合物中的LaNiO3前驱体的总量1摩尔超过0且为10摩尔以下，组合物100质量%中的第2有机溶剂的比例为5～20质量%。

公开(公告)号：CN103964838A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410035537.1

申请日：2014-01-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01B3/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种在薄膜电容器等中能够提高泄漏电流特性的介电薄膜形成用组合物、以及介电薄膜的形成方法。在用于形成由钛酸锶钡即BST系复合钙钛矿膜构成的介电薄膜的介电薄膜形成用组合物中掺杂着Al即铝。并且，Al即铝相对于包含在上述组合物中的钙钛矿A位原子100原子%的掺杂量在0.1原子%以上15原子%以下范围。

公开(公告)号：CN102046563B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980119294.7

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C04B35/46 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN103130502A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜x＜23t的关系。