公开(公告)号：CN102610745B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110021620.X

申请日：2011-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 ,  吴良才 ,  宋志棠 ,  饶峰 ,  彭程 ,  朱敏

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤ (b/c) ≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102623632B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201110031815.2

申请日：2011-01-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 彭程 ,  吴良才 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  周夕淋 ,  朱敏 ,  刘波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。