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公开(公告)号：CN118571730A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410552543.8
申请日：2024-05-07
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米/原子尺度冷阴极的纳焦斑X射线管，包括沿电子束运动方向依次设置的阴极、栅极、聚焦极和阳极，所述阴极包括纳米/原子尺度的点状电子源，所述阴极与所述栅极形成电子发射结构，所述栅极、所述聚焦极和所述阳极构成聚焦结构，所述电子发射结构用于控制阴极发射电流大小，所述聚焦结构用于对阴极发生的电子束聚焦在所述阳极，以使所述阳极辐射出纳焦斑X射线。本发明实施例可以提高分辨率和稳定性，降低成本和体积，可广泛应用于电子元器件技术领域。
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公开(公告)号：CN115141138B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210740947.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 中山大学
IPC: C07D211/96
Abstract: 本发明涉及有机化合物合成技术领域，特别涉及一种烷基羧酸脱羧构建氟化物的方法。该方法是在热能和/或光能和/或微波条件下，以具有如式 所示结构的烷基羧酸为反应原料，在铁催化剂、配体、含氟试剂、碱的共同作用下，通过自由基脱羧氟化反应得到 所示氟化物。本发明以廉价易得的一级，二级或三级烷基羧酸为反应原料，在氮气反应氛围下，在铁催化剂、配体、碱和含氟试剂的共同促进作用下发生脱羧氟化反应得到相应烷基氟化物，反应具备成本低廉、条件温和、产率和选择性高等优势，为烷基氟类化合物提供了新的合成路线和方法，可以为药物筛选提供结构多样的氟化物库，具有良好的应用潜力和研究价值。
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公开(公告)号：CN109885987B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201910069390.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明提出一种基于方向性局部二值模式的二值图像隐写分析方法，首先设置自适应阈值参数，在使用crmiLTP对二值图像进行扰动度量后，使用3×3像素点块模板对扰动得分图进行扫描，根据各像素点对应扰动得分数值大小及方向性得出局部二值模式值，然后利用各二值模式值出现频率提取特征，在特征提取时充分利用设置的阈值，对像素点所有扰动得分值之间的大小及方向关系进行遍历，最后选取最优检测效果对应阈值，能够使训练出的分类模型达到最佳的隐写分析准确率。在对使用不同隐写算法生成的隐秘图像进行隐写分析时可以设置不同阈值，从而使得在确保有效性的同时又有很强的针对性。
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公开(公告)号：CN109963159B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910041668.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 中山大学
IPC: H04N19/467
Abstract: 本发明提供了一种基于STC编码的二值图像双重扰动评分的信息隐写算法,该算法以改进后的crmiLTP失真度量方法对图像进行扰动评分，考虑隐写前与隐写后像素点翻转对扰动映射图的影响，在分块隐藏的基础上，以高效STC编码嵌入秘密信息，最终设计出一种视觉失真小、安全性较高的隐写算法。本发明在考虑载体图像性质基础上，设定双重扰动评分准则，对图像边缘区域的可翻转点进行双向评价分析，结合STC编码，使得算法具有较高的图像质量、较小的视觉失真以及一定的抗隐写分析检测性能，对安全隐秘通信具有非常大的作用。
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公开(公告)号：CN111293013A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010227464.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射冷阴极结构，包括冷阴极、阴极衬底，将所述冷阴极的正面设置成长方形结构，且所述冷阴极垂直设置在阴极衬底上；所述的冷阴极的长度与宽度之比大于或等于100，将冷阴极作为发射体，其发射端面为线型一维结构；所述的冷阴极的高度与宽度之比大于或等于50，使得所述的冷阴极呈二维线型结构，所述的冷阴极的宽度小于10微米，所述的冷阴极由碳纳米管材料制成。本实施例所述的冷阴极结构可具备了获得大电流高电流密度的场发射能力，是实现场发射冷阴极器件应用的一种优选结构，可以满足特定器件的电子源性能需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261473A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010241224.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种单根一维纳米结构场发射冷阴极的制作方法，该制作方法利用纳米结构体局部自加热效应在微纳导电基体上熔接生长在导电衬底上的单根一维纳米结构，以形成欧姆接触接合；利用金属探针以电熔断方式截取单根一维纳米结构，使得单根一维纳米结构与导电衬底脱离，形成基于微纳导电基体的单根一维纳米结构冷阴极。本发明所述的制作方法简单且具有通用性，可基于不同类型的一维纳米材料在不同材质、不同形状的微纳导电基体上制作单根一维纳米结构冷阴极。这种单根一维纳米结构冷阴极应用于高亮度、相干电子源，在电子束光刻、电子显微镜、科学研究装置等中有着重要应用。
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公开(公告)号：CN107416808A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710729825.0
申请日：2017-08-23
Applicant: 中山大学
IPC: C01B32/188 , C01B32/162
Abstract: 本发明涉及一种一步制备石墨烯‐碳纳米管纳米复合结构的方法。本方法基于等离子体增强化学气相沉积原理，在含有催化元素的金属或半导体衬底上直接生长碳纳米管，同时在碳纳米管壁上直接外延生长石墨烯，形成以碳纳米管为基体的石墨烯片复合结构；在生长条件得到满足的情况下，碳纳米管和石墨烯片的尺寸会同时增大；石墨烯与碳纳米管界面以碳‐碳化学键结合方式，形成欧姆接触特性。本发明方法简单，一步实现石墨烯和碳纳米管的同时生长，这种新型的碳纳米复合结构在电子发射、能量转换、能量存储等器件中有着重要应用。
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公开(公告)号：CN104163418A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310334851.5
申请日：2013-08-02
Applicant: 中山大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种基于等离子体化学气相沉积原理在不同形状衬底上可控定向生长石墨烯的方法。将衬底材料放置于密封腔体中，通入气体并等离子体化，保持低气压并加热衬底材料和在衬底上施加偏置电压。当升温至所需的生长温度时，通入碳基化合物气体以形成等离子体，使其碳基分子裂解在衬底上生成石墨烯。通过控制偏置电压、气体压强、衬底表面形状等，使石墨烯获得沿指定方向生长的能量，实现石墨烯在衬底上取向生长。
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公开(公告)号：CN118610054A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410646048.3
申请日：2024-05-23
Applicant: 中山大学
IPC: H01J9/42
Abstract: 本发明公开了一种场发射电子源性能指标确定方法和装置，包括：响应于交互界面的输入操作，获取场发射电子源的电流数组、对应的电压数组、功函数的预设值、场增强因子的预设值、计算模式；将电流数组和电压数组进行第一预处理和线性拟合，得到拟合公式；拟合公式包括第一参数的值和第二参数的值；根据计算模式、功函数的预设值或场增强因子的预设值、第一参数的值和第一参数的第一预设公式确定第一预设公式中的待确定参数；根据已确定的功函数的值、已确定的场增强因子的值、第二参数的值和第二参数的第二预设公式确定场发射电子源性能指标。本发明实施例能够优化计算过程，节省算力，可广泛应用于真空电子技术领域中冷阴极电子源性能指标表征。
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公开(公告)号：CN115141138A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210740947.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 中山大学
IPC: C07D211/96
Abstract: 本发明涉及有机化合物合成技术领域，特别涉及一种烷基羧酸脱羧构建氟化物的方法。该方法是在热能和/或光能和/或微波条件下，以具有如式所示结构的烷基羧酸为反应原料，在铁催化剂、配体、含氟试剂、碱的共同作用下，通过自由基脱羧氟化反应得到所示氟化物。本发明以廉价易得的一级，二级或三级烷基羧酸为反应原料，在氮气反应氛围下，在铁催化剂、配体、碱和含氟试剂的共同促进作用下发生脱羧氟化反应得到相应烷基氟化物，反应具备成本低廉、条件温和、产率和选择性高等优势，为烷基氟类化合物提供了新的合成路线和方法，可以为药物筛选提供结构多样的氟化物库，具有良好的应用潜力和研究价值。
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