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公开(公告)号：CN101228095A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026569.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 角谷均
Abstract: 本发明提供一种可用于切削工具、整形器、模具和其它加工工具以及挖掘钻头等的具有足够的强度、硬度和耐热性并且致密而匀质的多晶金刚石，以及具有由该多晶金刚石形成的切削刃的切削工具。该多晶金刚石基本上只由金刚石构成，并且是在超高压和超高温以及在不使用烧结助剂或催化剂的条件下、由含有非金刚石型碳物质的原料组合物直接转化成金刚石并进行烧结而形成的，其中所述多晶金刚石具有这样的混合显微组织，该混合显微组织包含最大粒径为100nm以下且平均粒径为50nm以下的金刚石细晶粒以及粒径为50nm－10,000nm的片状或者颗粒状的金刚石粗晶粒。
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公开(公告)号：CN118235035A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073685.5
申请日：2022-10-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G01N3/56
Abstract: 一种接触件，是由包括多个金刚石颗粒的多晶金刚石构成的圆环状的接触件，构成为旋转轴贯通其中心，具备：第一部分，在径向上具有恒定的厚度，包括内端部；以及第二部分，在径向上具有减少的厚度，包括外端部，所述第二部分具有：第一面，与所述第一部分的上表面连续；第二面，与所述第一部分的下表面连续；以及连接面，连接所述第一面与所述第二面，包括所述外端部，在沿所述旋转轴的截面中，表示所述第一面的第一线段和表示所述第二面的第二线段所成的角度θ为100°以上且150°以下，作为所述第一面和所述连接面的边界的第一边界部与作为所述第二面和所述连接面的边界的第二边界部之间的长度为1μm以上且10μm以下，从所述旋转轴到所述外端部的长度为1mm以上且10mm以下，所述多个金刚石颗粒的平均粒径为0.1μm以上且100μm以下。
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公开(公告)号：CN116997689A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280020013.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率小于0.01％。
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公开(公告)号：CN116964258A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020017.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，氮的原子数基准的含有率为0.0001ppm以上且0.1ppm以下，13C的原子数基准的含有率为0.01％以上且1.0％以下。
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公开(公告)号：CN112340727B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202011260632.3
申请日：2016-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 金刚石多晶体(10)包含金刚石粒子，并且所述金刚石粒子的平均粒径为50nm以下。通过断裂强度试验确定的裂纹载荷为10N以上，其中将顶端半径Dr为50μm的金刚石压头D以100N/分钟的载荷速度F压向金刚石多晶体(10)的表面(10s)。由此，本发明提供了具有小粒径且具有韧性的金刚石多晶体、切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造金刚石多晶体的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110023238B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201780073841.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/25 , B01J3/06 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B32/205 , C04B35/528 , C04B41/87 , C23C16/26 , C25B11/043 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石，该多晶金刚石由多个晶粒构成，并且包含氮和硅中的至少任一者、硼、以及碳和微量杂质的余量；所述硼以原子水平分散在晶粒中，并且全部的硼的90原子％以上以孤立置换型存在；所述氮和硅以孤立置换型或间隙型存在于晶粒中；晶粒的粒度为500nm以下；并且多晶金刚石的表面被保护膜覆盖。
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公开(公告)号：CN109890753B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201780067572.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/25 , B01J3/06 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B32/205 , C04B35/528 , C04B41/87 , C23C16/26 , C25B11/043 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种以金刚石单相作为基本组成的多晶金刚石。所述多晶金刚石包括多个晶粒，并且包含硼、氢和氧，剩余物包括碳和微量杂质。所述硼以原子水平分散在晶粒中，并且90原子％以上的所述硼以孤立置换型存在。所述氢和氧以孤立置换型或间隙型存在于晶粒中。每个晶粒的粒度为500nm以下，并且所述多晶金刚石的表面被保护膜覆盖。
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公开(公告)号：CN114655953A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210130434.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供：一种制造金刚石的方法，所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦；一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石；和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤：准备包含金刚石籽晶的基板；通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层；通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层；和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎，从而将所述金刚石层与所述基板分离。
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公开(公告)号：CN110219042B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910397906.4
申请日：2015-05-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种包含金刚石颗粒的多晶金刚石体。所述金刚石颗粒的平均粒径为50nm或更小。在23℃±5℃、4.9N的测试负荷下的努氏硬度测定中，所述多晶金刚石体的努氏压痕的对角线中较短对角线的长度B与较长对角线的长度A的比值为0.080或更小，其中该比值表示为比值B/A。该多晶金刚石体具有韧性且具有小粒径。本发明还提供了一种切削工具、耐磨工具、磨削工具，以及用于制造多晶金刚石体的方法。
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公开(公告)号：CN108474136B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201780007532.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。
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