固态图像拾取装置和图像拾取系统

    公开(公告)号:CN105789230B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201610218783.X

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸,第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件,设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。

    光电转换装置和成像系统
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105405858B

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201510726144.X

    申请日:2012-09-26

    Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。在能够将包含在光电转换单元中的光电转换元件的信号相加的光电转换装置中,每个光电转换元件包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域,第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件之间,以及第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度比第三半导体区域的杂质浓度低。

    固态成像装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103685998B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201310396144.9

    申请日:2013-09-04

    Inventor: 小林昌弘

    Abstract: 一种固态成像装置,包括:生成电荷的第一和第二光电转换单元;隔离光电转换单元的隔离部分;第一和第二浮动扩散区;将生成的电荷传输给浮动扩散区的第一和第二传输晶体管;向传输晶体管供给传输脉冲的一条或两条传输控制线;连接传输晶体管的栅极与传输控制线的一个或两个触点,其中:第一和第二传输晶体管相对于隔离部分对称;触点相对于隔离部分对称;传输脉冲从传输控制线被提供给(i)第一传输晶体管和(ii)第二传输晶体管的路径的寄生电容和电阻的值相等;和利用基于在光电转换单元中生成的电荷的信号进行焦点检测。

    成像装置和成像系统
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104124255B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410169731.9

    申请日:2014-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。

    固态图像拾取装置和图像拾取系统

    公开(公告)号:CN105789230A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610218783.X

    申请日:2012-05-22

    Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统。固态图像拾取装置包括均设置在半导体基板中的光电转换单元、电荷存储单元、浮置扩散单元、第一栅电极和第二栅电极。电荷存储单元存储在光电转换单元中产生的电荷。该电荷被传送至浮置扩散单元。第一栅电极在光电转换单元与电荷存储单元之间和电荷存储单元之上延伸,第二栅电极在电荷存储单元与浮置扩散单元之间延伸。固态图像拾取装置还包括遮光部件,设置在第一栅电极和电荷存储单元之上且在第一栅电极与第二栅电极之间。遮光部件的底表面的在第一栅电极与第二栅电极之间且在半导体基板的表面之上的部分比该底表面的在第一栅电极之上的另一部分距半导体基板的表面更近。

    摄像装置
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105575983A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201510713334.8

    申请日:2015-10-28

    Inventor: 小林昌弘

    CPC classification number: H01L27/14612 H01L27/14643

    Abstract: 本公开提供了一种摄像装置。所述摄像装置能够增大连接状态下的输入节点的电容值,而不减小在电容处于非连接状态时的放大晶体管增益。在根据本公开的方面的摄像装置中,放大晶体管的栅极电极布置在半导体基板的主表面上,具有第二导电型的第三半导体区域布置在所述栅极电极的下部中,并且电容的PN结面的具有所述第二导电型的杂质的添加杂质浓度高于,所述第三半导体区域中的、从所述主表面直到布置有所述放大晶体管的源极和漏极的深度处的区域中具有所述第二导电型的添加杂质浓度的最大值。

Patent Agency Ranking