用于测量电磁波的装置和方法

    公开(公告)号:CN102696042A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201080060768.8

    申请日:2010-12-28

    CPC classification number: G06K9/00516 G01N21/3581

    Abstract: 本发明提供一种用于将电磁波的时间波形变换成适合于信号处理等的时间波形以测量时间波形的装置和方法。对事先测量的诸如太赫波之类的电磁波的第一时间波形执行小波变换,并且通过控制小波展开系数形成适合于信号处理并与在小波变换中使用的母小波具有高相关性的第二时间波形。在目标对象的第二测量处理和以后的处理中,使用诸如偏置电压控制器的变换单元来将电磁波变换成变换后的时间波形以测量时间波形。

    使用电磁波的检测方法以及检测装置

    公开(公告)号:CN101196467B

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200710196483.7

    申请日:2007-12-05

    CPC classification number: G01N21/3581 G01N21/3563

    Abstract: 提供一种能够不管有无太赫兹波的频带的固有振动波谱都使用太赫兹波检测物质状态的变化的检测方法以及装置。检测装置具有保持物质8的待检物保持部;照射部件1、6;检测部件1、7;计算部件、评价部件。照射部件1、6在保持于待检物保持部上的物质8上照射太赫兹波。检测部件1、7检测从物质8透射或者反射来的太赫兹波。计算部件求得针对所照射的太赫兹波的物质8的性质的频率依赖性,算出物质8的性质的频率依赖性的拟合直线时的直线斜率或者直线斜率。评价部件对预先求得的基准状态的物质的性质的频率依赖性的直线斜率和用计算部件算出的物质8的直线斜率进行比较,评价物质状态的变化。

    光学半导体器件
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101794835A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010135255.0

    申请日:2005-07-28

    CPC classification number: H01L31/08 G01N21/3581 H01S1/02

    Abstract: 本发明提供了一种光学半导体器件,其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10),其中,当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时,所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面,其间夹着所述半导体薄膜。

    感测设备
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100562743C

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200580025827.7

    申请日:2005-07-27

    Inventor: 尾内敏彦

    Abstract: 本发明提供一种感测设备,其包括:芯片(20),在其中于基片(1)上形成用于传播电磁波的传输线(2);用于产生电磁波(10)的电磁波发生器(7);耦合装置(9);以及检测器(5),用于检测经该传输线(2)传播的电磁波在该传输线的任意位置上的电磁波传播状态。通过该检测器(5)检测设置在该传输线(2)附近的对象(4)和该电磁波之间的交互作用,以感测该对象(4)和该电磁波的空间交互状态。

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