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公开(公告)号：CN102637712A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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公开(公告)号：CN102254921A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110123535.4
申请日：2011-05-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 板桥政次
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , G03B19/02
CPC classification number: H01L27/1462 , G03B17/00 , H01L27/14609
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和照相机。该光电转换装置包括像素区，该像素区具有光电转换器和用于将在该光电转换器中的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管，该光电转换装置包括：第一绝缘膜，该第一绝缘膜被连续地布置为覆盖该光电转换器、以及该传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面和上表面的第一区域，而没有被布置在该上表面的第二区域上，该第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜；与该浮置扩散连接的接触塞；以及第二绝缘膜，该第二绝缘膜被连续地布置为覆盖该浮置扩散上的接触塞的周边、以及第二侧表面和第二区域，而没有被布置在第一区域上，该第二绝缘膜被配置为在形成该接触塞中用作刻蚀停止体。
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公开(公告)号：CN102201420A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110073039.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H01L21/60 , H04N5/374
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L27/14603 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L2924/0002 , H04N5/3745 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统及其制造方法。一种光电转换装置包括：其上布置有光电转换元件和晶体管的半导体衬底；以及包括第一布线层和在第一布线层之上的第二布线层的多个布线层，其中半导体衬底和多个布线层中的任一布线层之间的连接、晶体管的栅极电极和多个布线层中的任一布线层之间的连接、或者第一布线层和第二布线层之间的连接具有堆叠接触结构。
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公开(公告)号：CN101800231A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010001545.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 板桥政次
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开一种光电转换器件、图像摄取系统和光电转换器件的制造方法。所述光电转换器件包含：光电转换单元，被布置在半导体基板中；电荷保持部分，被布置在半导体基板中，并暂时保持由光电转换单元产生的电荷；第一传送电极，被布置在半导体基板之上的位置处，以将由光电转换单元产生的电荷传送到电荷保持部分；电荷-电压转换器，被布置在半导体基板中，并将电荷转换成电压；和第二传送电极，被布置在半导体基板之上的位置处，以将由电荷保持部分保持的电荷传送到电荷-电压转换器，并且，当从与半导体基板的上表面垂直的方向观看时，第一传送电极被布置为覆盖电荷保持部分并且不与第二传送电极重叠。
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公开(公告)号：CN109378321B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201811226086.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/77 , H04N23/55
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378321A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811226086.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/217 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取元件和图像拾取系统。至少一个固态图像拾取元件包含以二维方式布置的多个像素。所述多个像素中的每一个包含多个光电转换单元，该多个光电转换单元分别包含像素电极、被设置在所述像素电极上的光电转换层、以及被设置为使得所述光电转换层夹在像素电极与对电极之间的所述对电极。在一个或多个实施例中，所述多个像素中的每一个还包含设置在所述多个光电转换单元上的微透镜。
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公开(公告)号：CN106169490A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610328020.0
申请日：2016-05-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/70
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/146 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置及其制造方法和包括它的图像拾取系统。该固态图像拾取装置的制造方法包括：在形成第一传输晶体管的栅电极和第二传输晶体管的栅电极之后在基板之上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过以使得第一绝缘膜保持在光电转换单元的半导体区域和电荷保持单元的半导体区域上的方式蚀刻第二绝缘膜，通过第一绝缘膜，分别在第一和第二传输晶体管的栅电极的侧表面上形成第一结构和第二结构；和形成覆盖第一传输晶体管的栅电极、电荷保持单元的半导体区域和第二传输晶体管的栅电极的遮光膜。
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公开(公告)号：CN106169489A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610320405.2
申请日：2016-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统。根据一种实施例的固态成像设备的制造方法包括步骤：在基板上形成第一晶体管的栅电极和与第一晶体管相邻的第二晶体管的栅电极；形成覆盖第一晶体管的栅电极和第二晶体管的栅电极的绝缘体膜，使得在第一晶体管的栅电极与第二晶体管的栅电极之间形成空隙；在绝缘体膜上形成膜；以及通过经由蚀刻去除膜的一部分而形成遮光构件。
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公开(公告)号：CN103794615B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310496051.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。
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公开(公告)号：CN102254921B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110123535.4
申请日：2011-05-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 板桥政次
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , G03B19/02
CPC classification number: H01L27/1462 , G03B17/00 , H01L27/14609
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和照相机。该光电转换装置包括像素区，该像素区具有光电转换器和用于将在该光电转换器中的电荷传送到浮置扩散的传送MOS晶体管，该光电转换装置包括：第一绝缘膜，该第一绝缘膜被连续地布置为覆盖该光电转换器、以及该传送MOS晶体管的栅极电极的第一侧表面和上表面的第一区域，而没有被布置在该上表面的第二区域上，该第一绝缘膜被配置为用作抗反射膜；与该浮置扩散连接的接触塞；以及第二绝缘膜，该第二绝缘膜被连续地布置为覆盖该浮置扩散上的接触塞的周边、以及第二侧表面和第二区域，而没有被布置在第一区域上，该第二绝缘膜被配置为在形成该接触塞中用作刻蚀停止体。
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