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公开(公告)号：CN107935899B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710945782.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及锍化合物、抗蚀剂组合物及图案形成方法。本发明提供具有式(1)的锍化合物，其中R1、R2和R3是可含有杂原子的C1‑C20一价烃基，p＝0‑5，q＝0‑5，并且r＝0‑4。通过光刻处理包含该锍化合物的抗蚀剂组合物，以形成具有改进的LWR和图案塌陷性的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN108255019A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711451906.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2059 , G03F7/322
Abstract: 本发明涉及化学增幅型正型抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法。包含适于在酸的作用下分解以增大其在碱显影剂中的溶解度的聚合物和式(A)的锍化合物的正型抗蚀剂组合物具有高分辨率。通过光刻加工该抗蚀剂组合物时，能够形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN107935899A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710945782.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及锍化合物、抗蚀剂组合物及图案形成方法。本发明提供具有式(1)的锍化合物，其中R1、R2和R3是可含有杂原子的C1-C20一价烃基，p＝0-5，q＝0-5，并且r＝0-4。通过光刻处理包含该锍化合物的抗蚀剂组合物，以形成具有改进的LWR和图案塌陷性的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN107365266A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710327721.7
申请日：2017-05-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/004
Abstract: 本发明为新型锍化合物及其制造方法、抗蚀剂组合物、以及图案形成方法。提供在远紫外线光刻和EUV光刻中给予析像性、LWR、MEF和CDU优异的抗蚀剂膜的抗蚀剂组合物、其中使用的锍化合物、和使用了该抗蚀剂组合物的图案形成方法。由下述式(1)表示的锍化合物。(式中，R1、R2和R3各自独立地表示可含有杂原子的碳数1～20的直链状、分支状或环状的1价烃基。p和q各自独立地表示0～5的整数。r表示0～4的整数)。
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公开(公告)号：CN104040429A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280061534.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112782934B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011216447.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中，展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数：MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物，以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物，其特征为含有：(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元，且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中，W1表示碳数4～12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4～14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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公开(公告)号：CN114924464B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210124479.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供可获得改善图案形成时的分辨率且改善LER及CDU的抗蚀剂图案的化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。该课题的解决手段为一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，含有：(A)硫烷(sulfurane)或硒烷(selenurane)化合物，以下式(A1)表示，及(B)基础聚合物，包含含有下式(B1)表示的重复单元且因酸的作用而分解并使于碱显影液中的溶解度增大的聚合物。#imgabs0#式中，M为硫原子或硒原子。#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118259547A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311792811.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题提供于使用高能射线的光学光刻中，感度及分辨度优良的非化学增幅抗蚀剂组成物，及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段是一种抗蚀剂组成物，包含下式(1)表示的超价碘化合物、含羧基的聚合物及溶剂，#imgabs0#式中，n是0～5的整数，R1及R2各自独立地为卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～10的烃基，又，R1及R2亦可互相键结并和它们所键结的碳原子及该碳原子间的原子一起形成环，R3是卤素原子、或也可含有杂原子的碳数1～40的烃基。
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公开(公告)号：CN118112887A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311617357.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光刻中，抗图案崩塌且极限分辨性优异，又感度、LWR亦经改善的抗蚀剂组成物；以及使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种抗蚀剂组成物，包含：(A)含有包含具有酸不稳定基团的重复单元的聚合物的基础聚合物、(B)有机溶剂、及(C)下式(1)表示的鎓盐。zq+xq‑(1)式中，Zq+为锍阳离子、錪阳离子或铵阳离子。Xq‑为阴离子。但，将Xq‑作为共轭碱的酸(XqH)，其沸点未满165℃且分子量是150以下。
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