抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935B

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

    正型抗蚀剂材料及图案形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119916645A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202411526803.0

    申请日:2024-10-30

    Abstract: 本发明涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题为提供超过已知的正型抗蚀剂材料的高感度、高分辨率,且边缘粗糙度、尺寸偏差小,曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料、及图案形成方法。本发明的解决手段为一种正型抗蚀剂材料,包含基础聚合物,该基础聚合物含有:具有经取代或非经取代的羧基及经取代或非经取代的酚性羟基的重复单元a,但,该重复单元a具有选自于非经取代的羧基及非经取代的酚性羟基中的至少1者,具有酸不稳定基团的重复单元b,及具有键结于聚合物主链的磺酸的锍盐或錪盐结构的重复单元c。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782935A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011225387.2

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以KrF准分子激光、电子束、极紫外线等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且更含有至少1种具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。 式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

    抗蚀剂组合物和图案化方法

    公开(公告)号:CN110874014A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910799792.6

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法,包含基础聚合物和由具有经由二价烃基键合至氮原子的碘取代的芳环的铵阳离子以及羧酸根、不含氟的磺酰亚胺、磺酰胺或卤素阴离子组成的铵盐形式的猝灭剂的抗蚀剂组合物提供高感光度和最小的LWR或改进的CDU,而不管其具有正型还是负型。

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