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公开(公告)号：CN1363118A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01800252.8
申请日：2001-03-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/02052 , H01L21/3225 , Y10S438/906
Abstract: 一种退火圆片的制造方法,在氩气气氛下以露出清洗后的圆片表面的状态下进行退火时能降低所发生的硼污染、并抑制由退火后的圆片表面附近的硼浓度的增加引起的电阻变化,另外即使用硼浓度比较低(1×106原子/cm3以下)的硅片的退火圆片,也能使其表层部与内部的硼浓度的差实质上没有问题地制造退火圆片。该制造方法是清洗硅片后,投入到热处理炉,在氩气气氛下进行热处理,并且使用含氟酸的水溶液作为所述清洗的最后的清洗液。
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公开(公告)号：CN107615445B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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公开(公告)号：CN107112204B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201680004325.4
申请日：2016-01-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，将皆以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合而制造贴合式SOI晶圆，包含下列步骤，将多晶硅层堆积于基底晶圆的贴合面侧，研磨多晶硅层的表面，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中于堆积多晶硅层的步骤中，作为基底晶圆使用具有化学蚀刻面的晶圆，于化学蚀刻面进行一次研磨后，于经一次研磨的面堆积多晶硅层，于研磨多晶硅层表面的步骤中，于多晶硅层表面进行二次研磨，或进行二次研磨及精研磨。
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公开(公告)号：CN107615445A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680028359.7
申请日：2016-03-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种SOI晶圆的制造方法，将贴合晶圆的经离子注入的表面与基底晶圆的表面透过形成于基底晶圆表面的硅氧化膜贴合后，通过进行剥离热处理将贴合晶圆剥离，而制作出SOI晶圆，并以含有氩气氛围对SOI晶圆进行平坦化热处理，其中于剥离热处理后，不夹杂其他热处理，在进行去除存在于SOI晶圆的台地部的硅氧化膜上的硅薄片处理后，以含有氩气氛围进行平坦化热处理。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，而制作出于台地部具有硅氧化膜的SOI晶圆的剥离面，并于SOI晶圆的剥离面进行平坦化热处理时，能对剥离面进行平坦化而不会在台地部形成不必要的凹陷。
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公开(公告)号：CN107533952A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025480.4
申请日：2016-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103988284B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280061446.4
申请日：2012-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN105493232A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047111.6
申请日：2014-08-01
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此，能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。
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公开(公告)号：CN105264641A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480028918.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02329 , H01L21/187 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/6835 , H01L27/1203
Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，具有对剥离构成贴合晶圆的接合晶圆后的贴合晶圆，在含氢气氛下进行RTA处理后，进行牺牲氧化处理来减薄所述薄膜的工序，并且，在将所述RTA处理的保持开始温度设为比1150℃高的温度且将所述RTA处理的保持结束温度设为1150℃以下的条件下，进行所述RTA处理。由此，提供一种贴合晶圆的制造方法，其组合RTA处理与牺牲氧化处理，在进行贴合晶圆的薄膜表面的平坦化和薄膜减薄化时，能够抑制BMD密度增加且能够使薄膜表面充分平坦化。
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公开(公告)号：CN103988284A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280061446.4
申请日：2012-11-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02112 , H01L21/02318 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/3105 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/76256
Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN1547764A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816567.5
申请日：2002-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/332
CPC classification number: C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/3225 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。
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