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公开(公告)号：CN107533952B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680025480.4
申请日：2016-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。
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公开(公告)号：CN107533952A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025480.4
申请日：2016-03-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法包含：堆积多晶硅层于基底晶圆的贴合面侧、于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜、通过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合、以及将贴合晶圆薄膜化，作为基底晶圆，使用电阻率为100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，于堆积多晶硅层的步骤中更具有于基底晶圆堆积多晶硅层的表面预先以10nm以上、30nm以下的厚度形成氧化膜的阶段，以1050℃以上、1200℃以下的温度进行多晶硅层的堆积。由此，即使经过SOI晶圆的制造步骤的热处理步骤及装置制造步骤的热处理步骤亦能不使单晶化进行而堆积多晶硅层，同时能够提升多晶硅堆积步骤的总产量。
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公开(公告)号：CN109075028B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780024927.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。由此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。
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公开(公告)号：CN108701593B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201780011704.0
申请日：2017-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/683
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。
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公开(公告)号：CN106233425B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580020538.1
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701593A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011704.0
申请日：2017-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/68742
Abstract: 本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。
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公开(公告)号：CN106233426B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580020540.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2255/20 , B32B2307/206 , B32B2457/14 , H01L21/02 , H01L21/02233 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/30625 , H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于均以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层的堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或装置制造步骤的热处理步骤也不会进行单晶化。
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公开(公告)号：CN109075028A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024927.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。由此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。
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公开(公告)号：CN106233426A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020540.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B2250/02 , B32B2255/20 , B32B2307/206 , B32B2457/14 , H01L21/02 , H01L21/02233 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/30625 , H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于均以单晶硅构成的贴合晶圆及基底晶圆借由绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：堆积多晶硅层于该基底晶圆的贴合面侧，研磨该多晶硅层的表面，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层，其中，该基底晶圆使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜，该多晶硅层的堆积以900℃以上的温度进行。借此能够堆积多晶硅层而使其即使经过SOI晶圆制造步骤的热处理步骤或装置制造步骤的热处理步骤也不会进行单晶化。
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公开(公告)号：CN106233425A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020538.1
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L27/12
Abstract: 本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。
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