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公开(公告)号:CN104882378B
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201510164377.5
申请日:2015-04-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法;利用电子束曝光技术,在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化,具体工艺条件为:利用氧等离子体,在0.3~0.7Torr真空下,10~50sccm氧气流量,60~140watt功率刻蚀1~5min。丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。
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公开(公告)号:CN104966745B
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201510217779.7
申请日:2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明一种基于硅基衬底的纳米整流天线。所述的整流天线为纳米天线与金属‑绝缘体‑金属二极管组成的一体化结构,天线的左右臂分别为金属I和金属II,中间为绝缘层。将设计的纳米整流天线分别置于不同的衬底上,通过采用三维电磁场数值计算方法,计算了不同入射光波长下,整流天线的局域场强度和输出功率,最后计算出相应的光电转换效率。本发明发现的理论规律如下,随着衬底折射率的增加,共振波长发生红移,最大场增强系数和光电转换效率也逐渐增大。该理论计算为整流天线电池的实验制备和生产应用提供了设计思想,有利于新能源技术的绿色低成本发展。
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公开(公告)号:CN106646468A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611158389.8
申请日:2016-12-15
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01S13/90
CPC classification number: G01S13/9023
Abstract: 本发明公开了一种多场景干涉SAR图像的三维定位方法,该定位方法的流程简洁、高效,便于自动化批量化的计算机处理,对三维位置进行定位,通过构建多场景三维联合敏感度矩阵,能够避免现有方法中设计同名点传递路径的繁琐,本发明的定位方法包含东向位置(经度)、北向位置(纬度)和高程的三维位置同时定位,通过同时对多个场景的SAR数据进行三维位置干涉定标,实现三维定位;本发明通过构建多场景三维联合敏感度矩阵,能够使多个干涉SAR场景的所有待定标参数同时进行迭代计算,保证各场景的定位的精度以及场景邻接处的位置衔接性,并且避免了现有方法中设计同名点传递路径的繁琐。
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公开(公告)号:CN105896100A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201510036123.5
申请日:2015-01-23
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明提出了一种超低副瓣反射面天线,用于实现超低副瓣并适用于大角度扫描,包括:反射面组件、馈源组件、馈源安装座、以及第一和第二支撑杆,其中,馈源组件通过馈源安装座、以及第一和第二支撑杆与反射面组件连接,以及反射面组件为旋转对称抛物面,从而适用于大角度范围内的机械扫描。因此,本发明所提出的超低副瓣反射面天线,实现了超低副瓣、适用于大角度扫描,同时具有结构简单、刚度好、可靠性高等优点。
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公开(公告)号:CN104900485A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510164402.X
申请日:2015-04-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
CPC classification number: H01L21/02186 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02244
Abstract: 本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术,在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化,具体工艺条件为:置于烘箱150~200℃加热15~60min,丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。
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公开(公告)号:CN104878355A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201510219988.5
申请日:2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法,在衬底上旋涂正胶,利用电子束曝光技术,制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内,在额定的背底真空条件下,以80~150watt的功率,0~5sccm的氧气流量,30~100sccm的氩气流量,的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声,完成剥离。测试结果表明,采用此发明可获得表面粗糙度为1nm,厚度范围为3~10nm,氧钛比可调控范围为1.40~1.93,含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控,为进一步制备性能优异的金属-介质-金属型整流器提供关键材料。
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公开(公告)号:CN104836018A
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201510217922.2
申请日:2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明一种基于隧穿二极管的纳米天线,包括左臂、右臂以及整流器;所述左臂与右臂为镜像结构;左臂与右臂交叉成蝴蝶结形状,左臂与右臂中间夹有整流器,且三者一体成型;所述左臂与右臂的辐射体形状为三角形或扇形或锥形;所述整流器为金属-绝缘体-金属型隧穿整流器;所述纳米天线左臂材质选取Au、Pt、Ag、Cu、Al、Ni、V、Cr和W中的任意一种;所述纳米天线右臂材质选取Ni、Ti、V、Ta、Nb、Co、Al、Cu和W中的任意一种。该仿真模拟对整流天线的实验制备、特别是为解决天线系统与整流器的匹配问题提供了理论指导,有利于提高天线的光电响应强度,从而促进其应用。
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公开(公告)号:CN114336005B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202111322197.7
申请日:2021-11-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H01Q1/36 , H01Q1/12 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q3/28 , H01Q3/30 , H01Q15/24 , H01Q21/08 , H01Q21/28
Abstract: 一种低频振子单元、多频段阵列天线及其调整方法,所述低频振子单元包括第一微带振子臂(1)、第二微带振子臂(2)及支撑结构(3);第一微带振子臂(1)及第二微带振子臂(2)均为具有两条向上的竖直臂的T型薄臂结构,其厚度为毫米级,俯视角度呈一条直线;支撑结构(3)具有卡槽结构,对所述第一微带振子臂(1)及所述第二微带振子臂(2)进行夹持和支撑。所述多频段阵列天线中具有多个列和/或准列,所述多个列和/或准列中的至少一个列或准列,全部由如前所述的低频振子单元组成。该低频振子单元具有弱耦合和低遮挡特性,灵活嵌套,具有较大布局自由度。该多频段阵列天线具有较大布局自由度和波束调整自由度。
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公开(公告)号:CN107230845B
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201710322793.2
申请日:2017-05-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明提供一种半功率角外波瓣快速跌落的矩形波束赋形天线,包括三组子阵列,三组子阵列的排布方式为:以N×N子阵列A组为中心,在A组子阵列的上、下、左、右分别增加N个阵元构成B组子阵列,再在B组子阵列的上、下、左、右分别外扩不多于N个阵元构成C组子阵列,其中N≥1;同一组子阵列中阵元的激励幅度相同,且A组子阵列中阵元的激励幅度最大;A组和B组子阵列中阵元的相位相同,C组子阵列中阵元的相位与其它组阵元相差180°。该赋形天线采用了较少的阵元数量,实现了矩形波束半功率角外波瓣快速跌落。
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公开(公告)号:CN106887717B
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201710071576.0
申请日:2017-02-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种多层馈电网络,用于多路微波信号的传输和分配,具有功率分配、功率合成、信号隔离、抗干扰等功能。其结构包括:馈电网络框架、带状线功率分配器、柔性馈电线、过渡微带、K型连接器、功分器腔体盖板和馈电线保护盖。馈电网络框架为金属腔体结构,包括第一矩形腔体和第二矩形腔体,在第一矩形腔体内底面上有用于埋入柔性馈电线的馈电槽和带隔离墙的过渡微带凹槽;在第二矩形腔内底面上有用于安装带状线功率分配器的凹槽。带状线功率分配器固定在第二矩形腔内底面上凹槽内,通过柔性馈电线连接到过渡微带上,同时,带状线功率分配器通过K型连接器,实现射频信号的输入输出;功分器腔体盖板和馈电线保护盖将馈电网络框架密闭。
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