公开(公告)号：CN101567371A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810149552.3

申请日：2008-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘克群 ,  黄冠杰 ,  林志旻 ,  傅文键 ,  刘醇明

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross－Talk)现象的发生，以降低制造成本。

公开(公告)号：CN1983609A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610121424.9

申请日：2006-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志旻

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/30

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供一种图像传感器装置与光电元件。上述图像传感器装置，包括图像感测像素阵列设置于衬底的第一区域，以及逻辑电路设置于衬底的第二区域，其中逻辑电路包括互补型金属氧化物半导体晶体管。每个图像感测像素包括完全不具有自对准硅化物的晶体管及钉扎光电二极管。其中第二区域的CMOS晶体管上具有自对准硅化物，且第一区域的晶体管完全不具有自对准硅化物。本发明通过在图像感测像素区域的表面上完全不形成金属硅化物，由此可有效地降低暗电流，进而获得高信号－噪声比的图像传感器装置。另一方面，仅仅将金属硅化物形成于CMOS逻辑电路区域的栅极结构顶部与漏极/源极区域表面，而显著增加CMOS逻辑电路的运算速率。

公开(公告)号：CN1697126A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510056629.9

申请日：2005-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢友岚 ,  林志旻 ,  王建忠

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3105 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76819 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明是提供一种形成半导体元件及半导体影像感测器的方法，具体为改善介电层平坦度与均匀度以增强电荷耦合装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器元件中光学效能的方法与系统。所述用以达到较佳光学效能的介电层平坦化方法是包含下列步骤。于多个金属图形之上及其周围沉积一具有透光性的第一介电层，形成光学感测器于这些金属图形之间的基底内或其上，其中金属图形可防止位于其间或其下的感测器遭受电磁辐射的影响。之后以化学机械研磨制程研磨第一介电层而制得一倾斜表面，再进一步以平坦化制程消除此不均匀表面，最终得到一全面性均匀的介电层厚度以利感测器适当地运作。