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公开(公告)号：CN102931204B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210231706.X
申请日：2006-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 影像检测器阵列的形成方法包括如下步骤：提供基板，其具有第一、第二及第三影像检测器；形成第一、第二及第三滤光片，各自靠近该第一、第二及第三影像检测器；应用光掩模同时形成第一、第二及第三微透镜，第一微透镜对准该第一影像检测器与该第一滤光片，第二微透镜对准该第二影像检测器与该第二滤光片及第三微透镜对准该第三影像检测器与该第二滤光片；第一微透镜的有效面积大于第二微透镜；第二微透镜的有效面积大于第三微透镜；第一、第二、第三滤光片分别为蓝色、绿色、红色滤光片；第一、第二微透镜间不具有沟槽，用光学邻近修正定义第二、第三微透镜之间的沟槽。本发明使影像不同颜色之间的敏感度相同，从而能得到更接近真实色彩的影像。
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公开(公告)号：CN101567371B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810149552.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是有关于一种集成电路结构，包括：一基底；一金属化层，位于该基底之上，且该金属化层包括一介电层，以及位于该介电层之中的一金属线；以及一感应元件，位于该金属化层之上。该集成电路结构，包括：一半导体基底；多个金属化层，位于该半导体基底之上，且每一该些该金属化层包括一低介电系数介电层，以及位于该低介电系数介电层之中的复数条金属线；一第一钝化层，位于该些金属化层之上；以及一感应元件，位于该第一钝化层之中。藉由集成电路结构来增加感应元件的信号强度，减少串音(Cross-Talk)现象的发生，以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101232032B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710103308.9
申请日：2007-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13099 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括图像传感器区和电路区，其中上述电路区包括接合焊盘区和连线区；多层互连线结构，形成于上述基板上，其中上述多层互连线结构包括多个介电层、多条较低导线和顶连线，上述多条较低导线位于上述接合焊盘区和上述连线区中，上述顶连线位于上述连线区中的至少一根较低导线上；保护层，形成于上述多层互连线结构上方；接合焊盘结构，形成于上述保护层和至少一个介电层中，且电连接至位于上述接合焊盘区中的至少一根较低导线。本发明可以避免光敏感度的衰减和色度亮度干扰的问题，因此可以提升图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN109835865B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN101350358B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710196916.9
申请日：2007-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , H01L27/146 , G02B5/23
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N9/045
Abstract: 一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及形成于该彩色滤光阵列上的多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。本发明还提供了一种半导体装置。本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350358A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200710196916.9
申请日：2007-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/23
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N9/045
Abstract: 一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及形成于该彩色滤光阵列上的多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。本发明还提供了一种半导体装置。本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。
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公开(公告)号：CN100452417C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610121424.9
申请日：2006-08-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林志旻
IPC: H01L27/146 , H04N5/30
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供一种图像传感器装置与光电元件。上述图像传感器装置，包括图像感测像素阵列设置于衬底的第一区域，以及逻辑电路设置于衬底的第二区域，其中逻辑电路包括互补型金属氧化物半导体晶体管。每个图像感测像素包括完全不具有自对准硅化物的晶体管及钉扎光电二极管。其中第二区域的CMOS晶体管上具有自对准硅化物，且第一区域的晶体管完全不具有自对准硅化物。本发明通过在图像感测像素区域的表面上完全不形成金属硅化物，由此可有效地降低暗电流，进而获得高信号-噪声比的图像传感器装置。另一方面，仅仅将金属硅化物形成于CMOS逻辑电路区域的栅极结构顶部与漏极/源极区域表面，而显著增加CMOS逻辑电路的运算速率。
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公开(公告)号：CN109835865A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810394969.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)封装件和一种在晶圆至晶圆接合层级处实现多个MEMS腔体中的压差调节的方法。将包括第一MEMS器件和第二MEMS器件的器件衬底接合至包括第一凹进区和第二凹进区的覆盖衬底。通风沟槽与凹进区横向地间隔开并且位于第二腔体内。密封结构布置在通风沟槽内并且限定与第二腔体流体连通的通风孔。帽布置在通风孔内以密封在与第一腔体的第一气压不同的第二气压处的第二腔体。本发明的实施例还涉及通过硅柱和智能帽实现晶圆级集成MEMS器件。
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公开(公告)号：CN106505056A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610804266.0
申请日：2016-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L21/768 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: H01L43/12 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C2201/019 , H01L43/08 , H01L23/488 , B81C1/00015 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101236925B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810009255.9
申请日：2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少一个晶体管的步骤包含：在该像素区与该周边区中形成栅电极；在该像素区与该周边区上沉积介电层；部分蚀刻该介电层，以在该栅电极上形成多个间隙壁，并留下一部分的该介电层覆盖住该像素区；以及，以离子注入方式形成多个源/漏极区。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。
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