显示装置、亮度不均补正方法、补正数据制作装置和补正数据制作方法

    公开(公告)号:CN102142224B

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201110033393.2

    申请日:2011-01-31

    Abstract: 在补正数据存储部中,存储补正数据,该补正数据包含亮度不均量的偏差值和分组信息,该亮度不均量的偏差值是对应于检查用图像数据的图像显示于显示画面中时的各像素的亮度值或各像素群的亮度值与对应于上述检查用图像数据的该各像素或该各像素群的合理亮度值之差;该分组信息是根据各亮度不均区域中的亮度不均的程度,将对应于各亮度不均区域的补正区域分组的信息。而且,当使对应于显示用图像数据的图像显示于上述显示画面中时,空间分散处理部根据上述补正数据中包含的对该各补正区域的分组结果,决定上述补正区域中包含的像素中使灰度值变化的像素。

    半导体存储装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102332300A

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN201110138379.9

    申请日:2011-05-26

    Abstract: 本发明提供不使单元阵列面积增大且可抑制写入干扰的半导体存储装置。半导体存储装置具有:存储单元阵列(100),将多个存储单元排列成矩阵状,该存储单元将二端子型存储元件R和选择用晶体管Q串联连接;第一电压施加电路(101),向第一位线施加改写电压脉冲;第二电压施加电路(102),向第一位线及第二位线施加预充电电压,其中,在改写存储单元时,第二电压施加电路(102)预先将存储单元两端预充电为相同电压后,第一电压施加电路(101)经与选择用的晶体管直接连接的第一位线施加改写电压脉冲,并且第二电压施加电路(102)向与存储元件直接连接的第二位线施加该预充电电压。

    非易失性半导体存储装置
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102194524A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201110064421.7

    申请日:2011-03-17

    Abstract: 本发明提供一种能抑制漏电流并能进行稳定的高速存储器动作的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置(101)设有:位线电压调整电路(25),针对位线的每一条,将选择位线和非选择位线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位;以及数据线电压调整电路(27、28),针对数据线的每一条,将选择数据线和非选择数据线的电位固定在用于进行存储器动作的规定的电位。各电压调整电路(25、27、28)分别包括运算放大器和晶体管,对该运算放大器的非反相输入端子输入存储器动作所需的电压,并且,该运算放大器的反相输入端子连接到位线或数据线,由此,该位线或数据线的电位固定于该运算放大器的非反相输入端子的电位。

    显示装置和显示装置的亮度不均校正方法

    公开(公告)号:CN102831870B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201210311483.8

    申请日:2010-08-05

    Abstract: 本发明涉及显示装置和显示装置的亮度不均校正方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素,并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同,从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值(或,与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值)。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。

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