-
公开(公告)号：CN102074631B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201010516174.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及棒状结构发光元件、棒状结构发光元件的制造方法、背光灯、照明装置及显示装置。为了容易连接电极，实现高发光效率，棒状结构发光元件具备：棒状的第1导电型的半导体核心；以及以覆盖上述半导体核心的方式形成的第2导电型的半导体层。上述半导体核心的一部分的外周面露出。
-
公开(公告)号：CN102042540B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010511004.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0803 , H05B33/0821
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
-
公开(公告)号：CN103095142A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210428192.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M3/3353 , B60L8/003 , B60L58/20 , B60L2210/12 , B60L2210/14 , B60L2240/526 , B60L2240/527 , H02J7/0054 , H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M7/30 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7225 , Y02T10/7233
Abstract: 本发明涉及DC-DC转换器、太阳能充电系统及可移动体。该DC/DC转换器包括第一DC/DC转换器以及用于实施从第一DC/DC转换器提供的电压的DC/DC转换的第二DC/DC转换器。第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器之一是固定因数DC/DC转换器，以及第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器中的另一个是可变因数DC/DC转换器。
-
公开(公告)号：CN103036466A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN104685774B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201380051233.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , H02M1/088 , Y02B70/1475
Abstract: DC‑DC转换器具备：变压器；开关电路，其设置于上述变压器的初级侧；以及整流电路，其设置于上述变压器的次级侧。上述整流电路包含第1整流部，上述第1整流部是第1晶体管和第2晶体管的串联连接体，上述第2晶体管的第1电极连接到上述第1晶体管的第2电极。上述第1晶体管和第2晶体管各自具有正向连接到第2电极和第1电极间的寄生二极管，上述第1晶体管的第1电极和第2电极间的耐压高于上述第2晶体管的第1电极和第2电极间的耐压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103036466B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN103190004A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
-
公开(公告)号：CN101425541B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
-
公开(公告)号：CN103190004B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180052596.4
申请日：2011-06-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/24 , F21S2/00 , G02F1/13357 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/10 , F21Y115/10
CPC classification number: H01L33/64 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/052 , H01L31/054 , H01L31/0547 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
Abstract: 本发光元件（100）具备：n型GaN半导体基部（113）；在n型GaN半导体基部（113）上以竖直设置状态相互隔开间隔形成的多个n型GaN棒状半导体（121）；以及覆盖n型GaN棒状半导体（121）的p型GaN半导体层（123）。n型GaN棒状半导体（121）能通过对棒状半导体（121）增加提供n型的杂质量而容易地进行低电阻化。所以，即使将n型GaN棒状半导体（121）的长度做长，也能抑制n型GaN棒状半导体（121）的电阻的增大，能从n型GaN棒状半导体（121）的根部遍及到顶端部使其同样地进行发光。
-
公开(公告)号：CN103443618B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280012771.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/44743
Abstract: 一种电场产生装置，其特征在于，具备：注入有液体的容器；以分别使至少一部分浸在注入到所述容器的液体的方式空开规定的间隔配置的第一电极及第二电极；以及与所述第一电极及第二电极连接，在两电极间施加不对称的交流的交流产生器，所述交流产生器使所述液体中产生实质上从所述第一电极朝向第二电极的电场或实质上从所述第二电极朝向第一电极的电场中的任一方的电场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.034 seconds)
