氮化物基半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100449806C

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200610075305.4

    申请日:2006-04-12

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本氮化物基半导体发光装置包括:形成在导电衬底(1)上的图案表面(20a);形成在图案表面(20a)上的多层金属层(49);和形成在多层金属层(49)上的多层半导体层(19),且其特征在于多层金属层(49)和多层半导体层(19)的主表面(49m,49n,19m,19n)具有小于图案表面(20a)的面积,和多层半导体层(19)包括p型氮化物基半导体层(14)、发光层(13)和n型氮化物基半导体层(19)。因此,提供了在氮化物基半导体层与导电衬底之间具有优异粘附性的高可靠氮化物基半导体发光装置。

    氮化物半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101140977A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200710149626.9

    申请日:2007-09-10

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层,所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体;金属层;第二透明导体;第一导电型氮化物半导体层;发光层;和第二导电型氮化物半导体层,所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。

    氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1787247A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510129741.0

    申请日:2005-12-06

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法,所述方法包括的步骤为:在衬底(10)上形成包括多层氮化物基化合物半导体层(5、6)的半导体层结构;通过激光辐射从所述半导体层结构去除所述衬底;清洁所述半导体层结构的暴露的表面(81),所述暴露的表面是由去除所述衬底所暴露的表面;以及在所述清洁的暴露的表面(8、83)上形成电极(7、11)。

    半导体发光元件
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1147009C

    公开(公告)日:2004-04-21

    申请号:CN98803436.0

    申请日:1998-03-18

    Inventor: 幡俊雄

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/145 H01L33/32 H01L33/38

    Abstract: 本发明涉及半导体发光元件,其特征在于,由在表面具有电流阻挡区域和电流注入区域的半导体层、为构成所述电流阻挡区域而在所述半导体层上形成的电流阻挡层、在该阻挡层上形成的衬垫电极、以及为构成所述电流注入区域而在所述半导体层上形成的透光性电极构成,所述衬垫电极具有与透光性电极连接的电极连接部。利用这样的半导体发光元件,可防止发生由于透光性电极断线而造成的电流不能注入发光元件、透光性电极电阻变高的情况,能高成品率地制作工作性能良好的发光元件。

    发光装置
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105006473B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201510422847.3

    申请日:2011-05-13

    Abstract: 本发明提供一种利用了发光元件的发光装置,其具备:基板;树脂性框,其呈环状设置在所述基板上;树脂性隔壁,其按照将树脂性框所包围的部分间隔成2个区域的方式而设置在基板上;发光部(第1发光部:蓝色LED+红色荧光体、第2发光部:蓝色LED+黄色荧光体),其分别形成在各区域,并包含至少一个发光元件;和第1阳极电极、第2阳极电极以及阴极电极,其用于对各发光部提供电源,其中,各发光部进行将相互不同的色进行至少一色发光,第1阳极电极与第1发光部电连接,第2阳极电极与第2发光部电连接。由此,在可提高集成度的构成中,可获得高显色性以及良好的混色性的同时,易于进行色度的调整,并易于实现以所期望的色度进行发光。

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