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公开(公告)号：CN117174626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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公开(公告)号：CN113913789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN115326222A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211005536.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质；该方法包括：将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内，在预设的第一加热温度范围内获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即是获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；在外延反应过程中，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系；在实际反应中，只需根据测温探头测得的温度，即可获得外延片的实际温度；该方法简单，实用，可直接获取到外延片的实际温度。
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公开(公告)号：CN113670448B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113670448A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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公开(公告)号：CN114823307B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210681195.5
申请日：2022-06-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/263 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
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公开(公告)号：CN119691371A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510195814.3
申请日：2025-02-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F18/15 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06F18/21 , G06F18/2433 , G01D21/02 , G06F123/02
Abstract: 本申请属于设备数据处理的技术领域，公开了一种碳化硅外延设备检测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取碳化硅外延设备中多个传感器的历史时间序列数据，对历史时间序列数据进行归一化处理和数据转换，得到预处理后的历史时间序列数据，基于预处理后的历史时间序列数据，通过自适应学习率调整的随机梯度下降算法、早停法和模型检查点机制，构建得到异常检测模型，将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，确定对应的实时数据是否存在异常，以对碳化硅外延设备进行检测；通过将多个传感器的预处理后的实时数据输入至异常检测模型，对碳化硅外延设备进行检测，提高了碳化硅外延设备的检测效率。
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公开(公告)号：CN117174626B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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公开(公告)号：CN115012031B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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