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公开(公告)号：CN119041019B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411555680.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延生长系统，其包括：反应室，其具有排气管和气压检测组件；第一真空管道，其内设有简易过滤器；第二真空管道，其上沿气体流动方向依次设有第二开关阀、蝶阀和干泵；第三真空管道，其上设有第三开关阀和粉尘过滤器；第一吹扫组件；控制器，用于在反应室气压信息与预设气压信息的差值大于等于预设误差时，控制第一开关阀以及第二开关阀关闭和控制第三开关阀打开，并控制第一吹扫组件对简易过滤器进行吹扫，直至第一吹扫组件的持续吹扫时间达到第一预设时间，然后控制外延生长系统复原；其能够有效地解决由于对粉尘过滤器进行维护所需要的时间过长而导致反应室的生长效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114540800B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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公开(公告)号：CN114938549A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210749237.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B6/40
Abstract: 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
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公开(公告)号：CN114540800A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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公开(公告)号：CN114082729B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113774478A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111088462.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。
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公开(公告)号：CN118758194A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN118447964A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410609992.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种工艺参数寻优方法、外延生长方法及相关设备，涉及外延生长领域，其中工艺参数寻优方法包括：在预设范围内随机生成多个工艺参数组；基于预先建立好的仿真模型根据多个工艺参数组进行模拟实验，输出各工艺参数组对应的模拟生长结果参数；基于蚁群算法根据神经网络模型、工艺参数组以及神经网络模型生成的生长结果参数进行寻优以获取最优工艺参数组。本申请的工艺参数寻优方法能解决在获取使外延薄膜均匀性及生长速率达到最优的工艺参数时进行大量外延生长实验，导致实验成本和人工成本高并且材料生长时间长的问题，从而能达到节省实验成本，缩短生长结果参数获取时间以及准确获取最优工艺参数组的效果。
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公开(公告)号：CN114965901B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
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公开(公告)号：CN115012031A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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