清洗组合物、半导体基板的清洗方法以及半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN117397010A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202280036780.8

    申请日:2022-06-07

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种残渣(特别是CMP后的残渣)的除去性优异且对铜的耐腐蚀性优异的清洗组合物、以及半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物含有柠檬酸、1‑羟基乙烷‑1,1‑二膦酸、磺酸类表面活性剂及水,柠檬酸的含量相对于1‑羟基乙烷‑1,1‑二膦酸的含量的质量比为20~150,柠檬酸的含量相对于磺酸类表面活性剂的含量的质量比为70~1500,所述清洗组合物的pH为0.10~4.00。

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