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公开(公告)号：CN117441226A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040968.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D1/22 , C11D1/12
Abstract: 本发明提供一种保存稳定性优异的清洗组合物、半导体基板的清洗方法及半导体元件的制造方法。本发明的清洗组合物包含多元羧酸、螯合剂、具有碳原子数9～18的烷基的磺酸及水，多元羧酸相对于螯合剂的质量比为10～200，多元羧酸相对于磺酸的质量比为70～1000，该清洗组合物的pH为0.10～4.00，导电率为0.08～11.00mS/cm。
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公开(公告)号：CN102893215B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201180024485.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08L35/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/031 , G03F7/033 , G03F7/035 , G03F7/0388 , G03F7/0755
Abstract: 一种聚合性组成物，其包含：聚合起始剂；聚合性化合物；钨化合物；以及碱溶性粘合剂。
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公开(公告)号：CN104412371A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035304.5
申请日：2013-07-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30604 , C09K13/00 , C09K13/02 , C09K13/06 , C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/26 , C23F1/38 , C23F1/44 , C23G1/106 , C23G1/205 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/6704
Abstract: 一种蚀刻半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：通过将第一液体与第二液体混合以在8.5至14的pH范围内制备蚀刻液，所述第一液体含有碱性化合物，所述第二液体含有氧化剂；并且之后适时地将所述蚀刻液涂布到半导体基板，用于蚀刻所述半导体基板之中或之上的含Ti层。
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公开(公告)号：CN103339537A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006885.5
申请日：2012-02-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G02B5/223 , G02B3/0056 , G02B5/201 , G02B7/021 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/105 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H05K1/0274 , H05K3/3452
Abstract: 本发明提供一种遮光组成物，其具有厚膜形成适合性，提供具有优良涂层均一性的膜，具有不均匀表面上的厚度均一性，且对红外区内的光具有优良遮光特性。遮光组成物包含：(A)遮光粒子或遮光染料中的任一者；(B)粒子直径为100纳米至3,000纳米的第一填充剂，粒子直径为第一填充剂的粒子直径分布中的最大值；以及(C)粒子直径为5纳米至90纳米的第二填充剂，粒子直径为第二填充剂的粒子直径分布中的最大值。
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公开(公告)号：CN103229100A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180057428.4
申请日：2011-11-30
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/0047 , G03F7/031 , G03F7/033 , G03F7/0388
Abstract: 提供一种在红外区展现高挡光作用且在可见光区展现高透光度且能够通过碱性显影形成具有极佳分辨率的图案的可聚合组成物，以及各自使用所述组成物的感光层、永久图案、晶圆级透镜、固态摄影组件及图案形成方法；且所述组成物含有聚合起始剂、可聚合化合物、钨化合物、碱溶性黏合剂以及无机填料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114450098B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202080066670.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/00 , C09D201/00 , C09D5/25 , H01L23/373
Abstract: 一种导热层的制造方法、应用了该导热层的制造方法的层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法，该导热层的制造方法是使用包含树脂、填料及溶剂且固体成分浓度小于90质量％的导热层形成用组合物来在支承体上制造热扩散系数为3.0×10‑7m2s‑1以上的导热层的制造方法，该导热层的制造方法包括：向支承体喷出导热层形成用组合物的喷出工序；及以在支承体上的每一个位置，从喷出导热层形成用组合物至导热层形成用组合物中的固体成分浓度在支承体上达到90质量％为止的第1溶剂减量时间成为10秒以上的方式，对导热层形成用组合物中的溶剂进行减量的溶剂减量工序。
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公开(公告)号：CN114450098A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080066670.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/00 , C09D201/00 , C09D5/25 , H01L23/373
Abstract: 一种导热层的制造方法、应用了该导热层的制造方法的层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法，该导热层的制造方法是使用包含树脂、填料及溶剂且固体成分浓度小于90质量％的导热层形成用组合物来在支承体上制造热扩散系数为3.0×10‑7m2s‑1以上的导热层的制造方法，该导热层的制造方法包括：向支承体喷出导热层形成用组合物的喷出工序；及以在支承体上的每一个位置，从喷出导热层形成用组合物至导热层形成用组合物中的固体成分浓度在支承体上达到90质量％为止的第1溶剂减量时间成为10秒以上的方式，对导热层形成用组合物中的溶剂进行减量的溶剂减量工序。
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公开(公告)号：CN104428876A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036459.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
Abstract: 一种蚀刻方法，所述方法具有以下步骤：将蚀刻液施加到半导体基板中的含TiN层上从而蚀刻所述含TiN层，所述蚀刻液包含水以及其水中的碱性化合物和氧化剂，所述蚀刻液在8.5至14的pH的范围内，并且所述含TiN层具有0.1摩尔％至10摩尔％的表面氧含量。
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公开(公告)号：CN102893215A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024485.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08L35/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/031 , G03F7/033 , G03F7/035 , G03F7/0388 , G03F7/0755
Abstract: 一种聚合性组成物，其包含：聚合起始剂；聚合性化合物；钨化合物；以及碱溶性粘合剂。
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公开(公告)号：CN102645692A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210021525.4
申请日：2012-01-31
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L27/14623 , C09J4/00 , G03F7/0007 , G03F7/033 , G03F7/091 , G03F7/105 , H01L27/14618 , H01L27/14685 , H01L2224/13
Abstract: 本发明提供一种遮光膜及其制造方法、固体摄像元件以及相机模块。该遮光膜是固体摄像元件用遮光膜，所述固体摄像元件具有在硅基板的至少一面具备受光元件的摄像元件部，且具有形成于该硅基板的具备该摄像元件部的面上的壁，所述固体摄像元件用遮光膜是将感放射线性组成物喷雾涂布于该硅基板的具备受光元件的面、及形成于该具备受光元件的面上的壁上而形成，所述感放射线性组成物含有：(A)颜料分散物，含有包含黑色颜料的被分散体、分散剂及有机溶剂，且该被分散体的90％以上具有15nm以上30nm以下的粒径；(B)聚合性化合物；以及(C)聚合引发剂。
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