公开(公告)号：CN102197468A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200880131746.9

申请日：2008-10-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

Abstract: 提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件中设置有n型GaN层(3)、形成在n型GaN层(3)的上方的GaN层(7)、形成在GaN层(7)的上方的n型AlGaN层(9)、形成在n型AlGaN层(9)的上方的栅电极(15)和源电极(13)、形成在n型GaN层(3)的下方的漏电极(14)、形成在GaN层(7)和漏电极(14)之间的p型GaN层(4)。

公开(公告)号：CN101771075A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910205387.3

申请日：2009-10-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/41 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：i-GaN层(电子渡越层)、在i-GaN层(电子渡越层)上形成的n-GaN层(化合物半导体层)、在n-GaN层(化合物半导体层)上形成的源电极、漏电极和栅电极。在所述n-GaN层(化合物半导体层)的所述源电极与所述漏电极之间的区域内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有一凹入部分。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。

公开(公告)号：CN102822950B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201080065567.7

申请日：2010-03-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H03F1/32

CPC classification number: H01L29/7782 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H03F1/3247

Abstract: 在基板（1）上层叠形成有第一GaN层（2）、第一AlGaN层（3）、第二GaN层（4）、及第三GaN层（5），在形成于该层叠体的开口（10A）的侧面形成有第二AlGaN层（6）。以填埋绝缘膜（7）的电极沟（7a）的方式形成有栅极（8），在栅极（8）和第二AlGaN层（6）之间存在的绝缘膜（7）的部分（7c）作为栅绝缘膜起作用。在栅极（8）的上方形成有源极（11），在其下方形成有漏极（12）。利用该构成，实现如下可靠性高的纵型结构的HEMT：在不发生因使用p型化合物半导体所引起的各种问题的情况下，在可获得充分的高耐压、高输出的同时，可进行常关动作，可进行微细化。

公开(公告)号：CN105281550A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510334001.4

申请日：2015-06-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  广濑达哉

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/42

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M1/34 ,  H02M3/156 ,  H02M2001/342 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1425 ,  Y02B70/1491 ,  Y02P80/112

Abstract: 本公开提供了电源电路和功率因数校正电路，该电源电路包括开关元件和控制部。控制部将开关元件操作时产生的反电动势转换成光能并且将光能转换成电信号。此外，控制部基于通过转换光能获得的电信号来驱动开关元件。因此，与通过谐振重新产生浪涌能量的情况不同，不需要使用诸如电感器的谐振元件。因此，减小了电路规模。

公开(公告)号：CN103325781B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310073039.1

申请日：2013-03-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言，一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接，其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接，其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间，其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离。

公开(公告)号：CN103003929B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201080068051.8

申请日：2010-07-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。

公开(公告)号：CN103855207A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310570939.7

申请日：2013-11-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  今田忠纮 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。

公开(公告)号：CN103681833A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310316261.X

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  今田忠纮 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括如下化合物半导体层：第一层；形成在第一层上方的第二层，其带隙大于第一层的带隙；形成在第二层上方的第三层，其具有p型导电类型；经由第三层形成在第二层上方的栅电极；形成在第二层上方的与第三层接触的第四层，其带隙大于第二层的带隙；以及形成在第四层上方的与第三层接触的第五层，其带隙小于第四层的带隙。

公开(公告)号：CN101960582B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN102651388A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110456942.7

申请日：2011-12-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 实现了一种高可靠性高电压耐受性化合物半导体器件，其能够改善器件运行速度、具有高雪崩耐受性、抗浪涌、在应用于例如逆变电路时不需要连接任何外部二极管并且在即使产生空穴时也实现稳定的运行，以及减轻电场在栅电极上的集中并由此实现电压耐受性的进一步提高。栅电极形成为利用电极材料通过栅极绝缘膜填充在堆叠化合物半导体结构中形成的电极凹陷，并且在堆叠化合物半导体结构中形成的场板凹陷填充有p型半导体，由此形成与堆叠化合物半导体结构接触的p型半导体层。