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公开(公告)号：CN102796994A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210238183.1
申请日：2012-07-11
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及CoSb3热电材料，特指一种CoSb3纳米颗粒薄膜的制备方法。首先按摩尔比1:3称量CoCl2·6H2O粉末和Sb粉末，分别装入各自坩埚中，并将坩埚和载玻片衬底置入石英管内；石英管置入水平管式炉内，多次抽真空和通入95%的氩气和5%的氢气的混合气，排除石英管内的氧气；管式炉升温，低压状态下，在载玻片衬底上化学气相沉积得到CoSb3纳米颗粒薄膜；测试其Seebeck系数、电导率以及热导率，计算其ZT值。本发明一步合成CoSb3纳米颗粒薄膜，工艺简单，所制备的CoSb3纳米颗粒直径在200-400nm，具有良好的导电率和较低的热导率，可直接用于热电研究，有望用于新型高效热电转换器件。
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公开(公告)号：CN102345096A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110179386.3
申请日：2011-06-29
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102163630A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110056681.X
申请日：2011-03-10
Applicant: 常州大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池薄膜，特指一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射技术，在衬底上制备一种带隙在1.4eV~1.6eV可调、光吸收系数高于105cm-1的新型三元化合物薄膜材料，是适合于研制太阳能薄膜电池的新型材料，本发明包括三靶汇聚共溅射技术和微薄层分层溅射复合技术，还包括溅射薄膜太阳能电池的后退火处理技术、多晶薄膜结构的XRD主峰位确定、薄膜组分和价态的测定、薄膜的FTIR和UVS带隙、吸收测定方法。
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公开(公告)号：CN114574805A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210094992.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 常州大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , G02F1/1524
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法。用射频磁控溅射法在ITO玻璃衬底上制备了非晶WO3薄膜，然后在含量为99.7％的无水乙醇中充分浸泡后取出烘干，其在676.2nm波长处的光学调制最高可以提高35％～44％，电致变色效率大幅度提高。本发明利用射频磁控溅射法进行非晶WO3薄膜的沉积，它具有膜层均匀、膜基附着性好、易于大面积制备、重复性高和无需反应气体氧气等特点，而且乙醇浸泡处理方法简单、高效，制备成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104178731B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410410634.4
申请日：2014-08-20
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及一种WO3薄膜的制备方法，用离子束溅射沉积技术结合后续退火处理工艺制备具有优良光学性能的电致变色WO3薄膜，并通过控制WO3薄膜中缺氧相强度来实现对光学调制性能的调控。以ITO导电玻璃为衬底，用离子束溅沉积技术制备WOx薄膜，用99.999%纯O2作为退火气氛，在不同温度下对WOx薄膜作不同时间的退火处理，制备含缺氧相的WO3薄膜。对WO3薄膜进行Li+电化学着褪色反应，施加着褪色电压后，所制备的电致变色WO3薄膜着色态积分透射率低，缺氧相强度可调，光学调制幅度大且可控性好。WO3薄膜制备工艺简单，有望应用于灵巧窗、电子信息显示器、无眩反光镜等领域。
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公开(公告)号：CN103866256B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410103801.0
申请日：2014-03-20
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了金属氧化物多孔纳米结构薄膜（MO‑PNFs）的制备方法，涉及多孔薄膜的制备技术领域。本发明首先利用磁控共溅射镀膜技术在室温下沉积了不锈钢基金属‑铝合金薄膜，然后在高真空下进行退火处理，最后置于NaOH溶液中进行腐蚀，除去较活泼的铝组分，并利用不锈钢衬底和较惰性的金属组分或者其半氧化产物构成原电池，进一步氧化金属组分并自组装成MO‑PNFs。本发明通过控制合金薄膜的组成元素、退火温度，以及NaOH溶液的浓度等参数来控制合金薄膜的腐蚀过程，从而可控制得各种不同金属氧化物、纳米结构和孔隙度的MO‑PNFs，具有工艺简单、大面积、均匀性好、可控性好等优点，在催化剂、传感器等领域具有广泛的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102856141B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210256049.4
申请日：2012-07-24
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及用于场发射材料的一维纳米材料，特指一种原位氧化提高硅纳米线阵列场发射性能的方法。本发明的技术方案是采用无电化学腐蚀法制备Si纳米线阵列，然后采用原位部分氧化法将Si纳米线阵列转化为SiOx包覆的Si纳米线芯壳结构阵列，由于SiOx具有较低的电子亲和势(0.6-0.8eV)，所以可有效增强Si纳米线阵列的场发射性能，而且SiOx还可作为Si纳米线阵列的保护层，提高Si纳米线阵列的场发射稳定性。
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公开(公告)号：CN103866256A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410103801.0
申请日：2014-03-20
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明公开了金属氧化物多孔纳米结构薄膜（MO-PNFs）的制备方法，涉及多孔薄膜的制备技术领域。本发明首先利用磁控共溅射镀膜技术在室温下沉积了不锈钢基金属-铝合金薄膜，然后在高真空下进行退火处理，最后置于NaOH溶液中进行腐蚀，除去较活泼的铝组分，并利用不锈钢衬底和较惰性的金属组分或者其半氧化产物构成原电池，进一步氧化金属组分并自组装成MO-PNFs。本发明通过控制合金薄膜的组成元素、退火温度，以及NaOH溶液的浓度等参数来控制合金薄膜的腐蚀过程，从而可控制得各种不同金属氧化物、纳米结构和孔隙度的MO-PNFs，具有工艺简单、大面积、均匀性好、可控性好等优点，在催化剂、传感器等领域具有广泛的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102251278A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110144380.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明涉及铜纳米线的制备方法，尤其是一种液相还原可控制备高产率单晶铜纳米线的方法。首先将二价金属铜盐溶液和乙二胺混合后水浴加热形成单一、稳定的铜离子螯合物，将强碱溶液和水合肼混合后在同一温度水浴下配成还原剂；然后将这两种混合溶液转入反应容器中，充分摇匀后盖好，置于同一温度水浴中加热反应，制备铜纳米线；将漂浮在溶液上层的片状铜纳米线打捞出来，依次用去离子水和无水乙醇洗涤三次以上，在室温和Ar气保护条件下干燥即得铜纳米线。本发明工艺简单、成本低、产率高，所制备的铜纳米线为单晶结构，其表面相对光滑，径向粗细均匀，长度和直径可控且比较均匀。
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