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公开(公告)号：CN112204164B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201880093518.0
申请日：2018-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 塞巴斯蒂安·巩特尔·臧 , 斯蒂芬·班格特 , 栗田真一 , 于尔根·亨里奇 , 安德里亚斯·索尔
IPC: C23C14/04 , C23C14/56 , H01L21/677
Abstract: 描述一种在真空系统中处理掩模的方法。所述方法包括(a)在真空系统中沿着传送路径以非水平定向(V)传送运载第一掩模(11)的掩模载体(10)；(b)将运载第一掩模(11)的掩模载体(10)的定向从非水平定向(V)改变为基本上水平的定向(H)；和(c)从在真空系统中以基本上水平定向(H)布置的掩模载体(10)卸载第一掩模(11)。根据另外的方面，描述一种真空系统，包括掩模处理模块，所述掩模处理模块用于处理掩模。(图1C)。
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公开(公告)号：CN108140544B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201680055690.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施方式大体涉及一种框架，所述框架用于在等离子体处理腔室中用来提供在等离子体处理腔室的框架与侧壁之间流动的非均匀气流。在一个实施方式中，框架包括：框架主体，具有限定框架主体的内壁和外壁；中心开口，形成在框架中、由内壁限定；和角落区域和中心区域，形成在框架主体的第一侧面中。角落区域具有小于中心区域的中心宽度的角落宽度，其中这些宽度限定在内壁与外壁之间。
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公开(公告)号：CN113793911A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110975901.2
申请日：2017-12-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 栗田真一 , 斯里坎特·V·雷切尔拉 , 苏哈斯·博斯基 , 芮祥新
IPC: H01L51/56 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/04
Abstract: 本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框架中的进气通道和出气通道。
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公开(公告)号：CN109075007B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201780025150.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/205
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及一种具有屏蔽盖罩的基板支撑组件。在一个实施方式中，本文公开一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板、多个RF返回条带、至少一个屏蔽盖罩以及杆。所述支撑板被构造为支撑基板。所述多个RF返回条带耦接到所述支撑板的底表面。至少一个屏蔽盖罩耦接到所述支撑板的底表面，在所述多个RF返回条带与所述底表面之间。所述杆耦接到所述支撑板。
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公开(公告)号：CN108603289B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201680081111.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 在一个实施方式中，一种用于沉积腔室的扩散器包括：具有边缘区域和中心区域的板；和多个气体通道，包括上游孔和流体地耦接到上游孔的孔洞，多个气体通道形成在板的上游侧和下游侧之间；和多个槽，环绕气体通道，其中槽的深度从板的边缘区域到中心区域变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109964331A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780071381.4
申请日：2017-12-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 栗田真一 , 斯里坎特·V·雷切尔拉 , 苏哈斯·博斯基 , 芮祥新
IPC: H01L51/56 , C23C16/455 , H01L51/00 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框架中的进气通道和出气通道。
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公开(公告)号：CN109075007A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025150.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/205
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及一种具有屏蔽盖罩的基板支撑组件。在一个实施方式中，本文公开一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板、多个RF返回条带、至少一个屏蔽盖罩以及杆。所述支撑板被构造为支撑基板。所述多个RF返回条带耦接到所述支撑板的底表面。至少一个屏蔽盖罩耦接到所述支撑板的底表面，在所述多个RF返回条带与所述底表面之间。所述杆耦接到所述支撑板。
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公开(公告)号：CN106206386A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610526075.2
申请日：2009-11-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/673 , B23K15/00
CPC classification number: B65D7/06 , B23K15/0006 , B65D7/38 , H01L21/67379
Abstract: 本发明所揭示的实施方式与已熔接在一起的大型真空腔室主体有关。腔室主体在所述腔室主体中至少一个表面上具有高发射率涂层。由于腔室主体的大型尺寸，腔室主体是通过将数个部件熔接在一起而形成，而非以单一金属部件来锻造主体。这些部件在与主体的弯处相隔的一位置处熔接在一起，所述位置在排空期间为最大应力处，以确保可能是主体中最弱点的熔接不会失效。腔室主体的至少一个表面可涂覆有高发射率涂层，以助于来自进入的受热基板的热传递。所述高发射率涂层可通过减少降低基板温度所需时间而增加基板产量。
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公开(公告)号：CN102308675B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201080007090.7
申请日：2010-02-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32568 , H01L21/67069
Abstract: 本发明描述对在两个电极之间的电流提供电气对称接地或回流路径的方法与设备。该设备包括至少一个射频(RF)装置，该至少一个射频装置耦接至电极中的一个且位于处理腔室的侧壁和/或底部之间。此方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并基于该位移电极的位置而使用耦接至侧壁与该电极的RF装置、耦接至该腔室的底部与该电极的RF装置、或其组合中的一者或两者以实现一接地回流路径。
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公开(公告)号：CN103703584A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280033772.4
申请日：2012-06-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种用于封装有机发光二极管（OLED）器件的系统和方法，允许：将基板和多个遮罩有效地接收至真空处理环境中、在一或更多个工艺腔室间传输基板和多个遮罩以沉积封装层，并且从处理系统中移除基板和多个遮罩。一种封装有机发光二极管（OLED）器件的方法，包括：将一或更多个遮罩置于基板上以将封装层沉积于设置在基板上的OLED器件之上。一种封装有机发光二极管（OLED）器件的处理系统，包括：一或更多个传输腔室；一或更多个负载锁定腔室，耦接至每个传输腔室并可操作以将遮罩接收至真空环境中；以及一或更多个工艺腔室，耦接至每个传输腔室并可操作以将封装层沉积于基板上。
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