公开(公告)号：CN103939628B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201410128270.0

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梅兰·贝德亚特 ,  栗田真一 ,  约翰·M·怀特 ,  苏希尔·安瓦尔 ,  稻川真

IPC: F16K1/24

CPC classification number: H01L21/67201 ,  F16K15/147 ,  F16K51/02 ,  H01L21/67126

Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。

公开(公告)号：CN102859034B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180020889.4

申请日：2011-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  S·安瓦尔 ,  J·M·怀特 ,  任东吉 ,  H·沃尔夫 ,  D·兹瓦罗 ,  稻川真 ,  I·莫里

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67712 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。

公开(公告)号：CN102714171A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006380.4

申请日：2011-01-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  稻川真 ,  松本隆之

IPC: H01L21/677 ,  B25J15/08 ,  B65G49/06

CPC classification number: B25J19/0054 ,  B65G49/061 ,  C03B35/20 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明的实施例提供一种传送机械手，所述传送机械手具有与所述传送机械手附接的冷却板，用于在处理腔室与负载锁定腔室之间传送时冷却基板。在一个实施例中，冷却板是单一、大面积的冷却板，所述冷却板在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手。在另一实施例中，冷却板是在正被传送的基板下方附接至所述传送机械手的冷却板阵列。所述冷却板可包括导管路径，以使冷却流体循环遍及冷却板。所述冷却板可具有上表面，所述上表面涂覆有高发射率涂层。

公开(公告)号：CN1904131B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610099294.3

申请日：2006-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 棚濑义昭 ,  稻川真 ,  细川明广

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3497 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明公开了一种溅射靶组件(18，20)，对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室(14)和真空泵吸室(32)两者的靶组件，真空泵吸室容纳移动的磁控管(30)。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板(62)，其具有平行于主表面钻出的平行冷却孔(64)。孔的端部可以被密封(74)，且竖直延伸的槽(66、68、70、72)在每侧上布置为两个交错的群组，并成对地向下机械加工到在衬背板的相对侧上的各自的冷却孔对。四个歧管(104、106)密封到四个群组的槽，并提供了逆流的冷却剂路径。

公开(公告)号：CN1904131A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610099294.3

申请日：2006-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 棚濑义昭 ,  稻川真 ,  细川明广

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3497 ,  Y10T29/49826

Abstract: 本发明公开了一种溅射靶组件(18，20)，对于较大面板的等离子体溅射反应器特别有用。该反应器具有密封到主处理室(14)和真空泵吸室(32)两者的靶组件，真空泵吸室容纳移动的磁控管(30)。靶瓦接合到其的靶组件包括一体板(62)，其具有平行于主表面钻出的平行冷却孔(64)。孔的端部可以被密封(74)，且竖直延伸的槽(66、68、70、72)在每侧上布置为两个交错的群组，并成对地向下机械加工到在衬背板的相对侧上的各自的冷却孔对。四个歧管(104、106)密封到四个群组的槽，并提供了逆流的冷却剂路径。

公开(公告)号：CN104392947A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410587106.6

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·贝赫加德 ,  栗田真一 ,  稻川真 ,  S·安瓦尔

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67236

Abstract: 本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境可以具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可以位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述加载锁定腔室时，所述环境可能需要被排空。由于所述排气端口位于所述环境的所述角落，故可能存在的任何微粒或污染物会被抽吸至最接近的角落，而在不会被抽吸跨越所述基板的前提下，离开所述加载锁定腔室。因此，可降低基板的污染。

公开(公告)号：CN103939628A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410128270.0

申请日：2009-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梅兰·贝德亚特 ,  栗田真一 ,  约翰·M·怀特 ,  苏希尔·安瓦尔 ,  稻川真

IPC: F16K1/24

CPC classification number: H01L21/67201 ,  F16K15/147 ,  F16K51/02 ,  H01L21/67126

Abstract: 在此公开的实施方式与一种用于密封一腔室中的开口的狭缝阀门装置有关。当狭缝阀门开口收缩时，压向该腔室以密封一狭缝阀开口的一狭缝阀门与该腔室一起移动，使得受压于该狭缝阀门与该腔室之间的一O形环与该狭缝阀门和该腔室一起移动。因此，O形环对腔室发生摩擦的情形会较少。由于较少摩擦，产生的颗粒可较少，因而可延长O形环的使用寿命。由于O形环的使用寿命较长，基板处理量即可增加。

公开(公告)号：CN1907897B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200610109513.1

申请日：2006-08-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 稻川真 ,  细川明广

IPC: C03C17/00

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 本发明提供了衬底支撑组件和用于控制处理室内的衬底温度的方法。该衬底支撑组件包括导热主体，其包含不锈钢材料；衬底支撑表面，其在导热主体的表面上并适用于在其上支撑大面积衬底；一个或多个加热元件，其嵌入在导热主体内；冷却板，其定位在导热主体之下；基体支撑结构，其包含不锈钢材料，定位在冷却板之下并适用于在结构上支撑导热主体；和一个或多个冷却通道，其适用于由基体支撑结构支撑并定位在冷却板与基体支撑结构之间。还提供了包含本发明的衬底支撑组件的处理室。

公开(公告)号：CN1900353B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200610098884.4

申请日：2006-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 稻川真

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明公开了一种真空抽吸系统和与溅射反应器(50)相关的方法，溅射反应器(50)具有密封至靶(18)及其背板(20)的真空抽吸磁控管室(32)。主溅射室(14)真空密封至靶前部并被低温抽吸(26)。旁路管道(51)和阀门(54)连接磁控管室和主室。在旁路阀被关闭并且低温抽气泵被打开之前，连接至磁控管室的机械粗抽泵(34)通过旁路管道将主室抽吸至小于1托，并且之后，继续抽吸磁控管室以减小靶上的压差。只要压差超过例如20托的极限，例如当存在泄露或电气故障时，则跨过旁路阀连接的压差开关(58)立即打开旁路阀。旁路管道还用在通风过程中。

公开(公告)号：CN115440641A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211014290.6

申请日：2017-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 栗田真一 ,  稻川真 ,  汉正·H·林 ,  松本隆之 ,  苏希尔·安瓦尔

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  B25J15/00

Abstract: 提供了一种适于处理多个基板的用于处理系统的传送腔室及其使用方法。所述传送腔室包括：盖；底部，与所述盖相对地设置；多个侧壁，将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积，其中所述多个侧壁形成十二边形的面。开口形成在所述面中的每个面中，其中所述开口经构造以用于使基板从中通过。传送机器人设置在所述内部容积中，其中所述传送机器人具有受动器，所述受动器经构造以支撑所述基板通过一个开口到达另一个开口。