公开(公告)号：CN118295212A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410433349.8

申请日：2021-06-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/033

Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

公开(公告)号：CN113383036B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202080012493.4

申请日：2020-02-13

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  远藤贵文 ,  桥本雄人 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广 ,  坂本力丸

IPC: C08K5/3435 ,  C08K5/372 ,  C08L101/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  C08G63/58

Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。

公开(公告)号：CN115698857A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180041796.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

IPC: G03F7/11 ,  C08G65/34 ,  C08F220/20 ,  G03F7/20

Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，*表示向Z1结合的部分]

公开(公告)号：CN114761876A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083998.X

申请日：2020-11-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 桥本雄人 ,  洼寺俊 ,  小田切薰敬 ,  上林哲 ,  西田登喜雄 ,  后藤裕一 ,  染谷安信 ,  远藤勇树

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/40

Abstract: 作为能够减少来源于低聚物等低分子量成分的升华物的生成量的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，例如，提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有由下述式(1‑1)所表示的重复单元的聚合物和有机溶剂，且上述聚合物中的重均分子量为1000以下的低分子量成分的含量为10质量％以下。

公开(公告)号：CN112437901A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201980048330.9

申请日：2019-07-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 上林哲 ,  水落龙太 ,  佐久间大辅 ,  远藤雅久 ,  西田登喜雄 ,  远藤贵文 ,  染谷安信 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。

公开(公告)号：CN112313226A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201980042837.3

申请日：2019-06-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  上林哲 ,  远藤勇树

IPC: C07D405/14 ,  C08G59/20 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：通过下述式(1)所示的化合物、与环氧加成物形成用化合物的反应而获得的环氧加成生成物；以及溶剂。上述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。